时间：2025/9/1 12:03:06
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H5TC8G63CMR是三星（Samsung）生产的一款DRAM内存芯片，属于高密度、高性能的移动存储解决方案，广泛应用于智能手机、平板电脑以及其他便携式电子设备中。该芯片采用LPDDR4（低功耗双倍数据速率第4代）技术，提供高速数据传输和较低的功耗，满足现代移动设备对性能与能效的双重需求。
容量：8Gb（1GB）
类型：LPDDR4 SDRAM
封装类型：BGA
工作电压：1.1V（核心电压VDD），1.8V（I/O电压VDDQ）
数据速率：3200Mbps
组织结构：x64
封装尺寸：9mm x 13mm
温度范围：商业级（0°C 至 85°C）
H5TC8G63CMR具备多项先进的性能和设计特点，适用于高性能移动设备。其LPDDR4架构提供了高达3200Mbps的数据速率，显著提升了数据处理能力与系统响应速度。该芯片采用双倍数据速率技术，能够在每个时钟周期传输两次数据，从而实现更高的带宽效率。
此外，H5TC8G63CMR在功耗控制方面表现优异，其核心电压仅为1.1V，I/O电压为1.8V，有效延长了移动设备的电池续航时间。该芯片还集成了多种节能机制，如自动刷新、自刷新和深度掉电模式，进一步降低了系统功耗。
封装方面，H5TC8G63CMR采用了紧凑的9mm x 13mm BGA封装形式，节省了PCB空间，适用于对尺寸要求严格的移动设备。同时，该芯片支持多银行架构和突发长度调节功能，增强了数据访问的灵活性和效率。
三星H5TC8G63CMR通过了严格的工业标准测试，确保在广泛的温度范围（0°C 至 85°C）内稳定运行，适应各种复杂的工作环境。
H5TC8G63CMR主要用于高端智能手机、平板电脑、可穿戴设备、嵌入式系统等对性能和能效有较高要求的移动设备。该芯片的高速度和低功耗特性使其成为移动设备中理想的主内存解决方案。此外，它也可用于需要高带宽存储的工业控制系统、车载信息娱乐系统以及智能家电等领域。
H5TC8G63CMR-PB, H5TC8G63AMR, H5TC8G64AMR
