时间：2025/9/2 4:55:25
阅读：16
H5TC8G43MMR-H9A 是由SK Hynix（海力士）生产的一款DRAM（动态随机存取存储器）芯片。该芯片属于高密度、高性能的存储器类型，适用于需要快速数据处理和高带宽的应用场景。H5TC8G43MMR-H9A 的设计旨在提供稳定的性能和较低的功耗，适用于多种电子设备，包括高端计算设备、图形处理系统、工业控制和网络设备等。
容量：8Gb
类型：DRAM
封装类型：FBGA
数据速率：1600 Mbps
电压：1.5V
时钟频率：800 MHz
位宽：x4
工作温度：-40°C 至 +85°C
H5TC8G43MMR-H9A 是一款具有高带宽和低延迟特性的DRAM芯片，其工作频率达到800 MHz，数据传输速率可达1600 Mbps，这使得它非常适合用于需要高速数据处理的场景。此外，该芯片采用1.5V的供电电压，能够在保证性能的同时降低整体功耗，从而提高设备的能效。
这款DRAM芯片的x4位宽设计使其在数据传输过程中具有更高的灵活性，适用于需要高频宽的图形处理和计算任务。封装采用FBGA（Fine-Pitch Ball Grid Array）技术，这种封装方式不仅有助于提高芯片的散热性能，还能节省PCB空间，适用于高密度电路板设计。
该芯片还具备良好的稳定性和可靠性，在-40°C至+85°C的宽温度范围内均能正常工作，适合工业级应用。其内部结构优化设计减少了信号干扰，提高了数据传输的稳定性，降低了数据丢失的风险。
H5TC8G43MMR-H9A 通常用于对性能要求较高的系统中，例如：
高端个人电脑和服务器内存模块
图形加速卡和GPU显存
工业控制和自动化系统
网络设备，如路由器和交换机
嵌入式系统和高性能计算设备
H5TC8G43MMR-H9C, H5TC8G43MMR-H9B
