RS-06K113JT 时间：2025/4/30 20:02:13 阅读：16

RS-06K113JT 是一种适用于汽车电子领域的功率场效应晶体管（MOSFET），属于 N 沟道增强型 MOSFET。该器件通常用于高效率开关应用，例如直流-直流转换器、负载开关和电机驱动等领域。
　　RS-06K113JT 的设计注重低导通电阻和快速开关性能，以降低功耗并提升系统效率。其封装形式为 TO-252 (DPAK)，能够提供良好的散热性能，适合在较高功率密度的场景下使用。

参数

最大漏源电压：60V
　　连续漏极电流：48A
　　导通电阻：2.7mΩ
　　栅极电荷：90nC
　　开关速度：快速
　　工作结温范围：-55℃ 至 +175℃
　　封装类型：TO-252 (DPAK)

特性

RS-06K113JT 具备以下主要特性：
　　1. 极低的导通电阻（Rds(on)）确保了较低的传导损耗，在大电流应用场景中尤为关键。
　　2. 快速开关能力使得该器件非常适合高频开关电源和逆变器等应用。
　　3. 高额定电流允许其支持较大的负载需求。
　　4. 广泛的工作温度范围 (-55℃ 至 +175℃) 使其能够在极端环境条件下稳定运行。
　　5. 符合 AEC-Q101 标准，确保了在汽车级应用中的可靠性和耐用性。

应用

RS-06K113JT 广泛应用于以下领域：
　　1. 汽车电子系统，如电动助力转向系统（EPS）、制动系统和混合动力汽车（HEV）/电动车（EV）的电池管理系统。
　　2. 工业设备中的 DC-DC 转换器和开关电源（SMPS）。
　　3. 各种电机驱动电路。
　　4. 通信设备中的负载开关和保护电路。
　　5. 可再生能源领域，例如太阳能逆变器和其他能量转换装置。