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H5TC4G63EFR-RDAR 发布时间 时间:2025/9/3 20:01:18 查看 阅读:4

H5TC4G63EFR-RDAR 是由SK Hynix(海力士)生产的一款DRAM(动态随机存取存储器)芯片。该型号属于高带宽内存解决方案,适用于需要快速数据访问和高性能存储的应用场景。H5TC4G63EFR-RDAR 是一款容量为4GB、采用FBGA封装的DRAM芯片,支持高频率运行,满足现代电子设备对内存速度和容量的高要求。

参数

容量:4GB
  封装类型:FBGA
  工作频率:800MHz
  数据宽度:16位
  电压:1.35V
  工作温度范围:0°C至85°C

特性

H5TC4G63EFR-RDAR 具有以下主要特性:
  首先,它提供了较高的存储容量,4GB的容量适合处理大型数据集或需要高内存需求的应用,如图形处理、服务器存储和高性能计算设备。
  其次,该芯片采用了FBGA(Fine-Pitch Ball Grid Array)封装技术,这种封装方式有助于减小芯片的体积,同时提供更好的电气性能和散热效果,确保芯片在高负载工作下的稳定性。
  此外,H5TC4G63EFR-RDAR 支持800MHz的工作频率,这意味着它可以在单位时间内处理更多的数据请求,提高系统的整体性能表现。对于需要高速数据传输的应用,如视频流、实时数据分析和网络设备,这种高频率特性尤为重要。
  该芯片的工作电压为1.35V,属于低电压设计,能够在保证性能的同时降低功耗,延长设备的续航时间并减少发热。
  最后,H5TC4G63EFR-RDAR 的工作温度范围为0°C至85°C,这意味着它可以在较为恶劣的环境条件下正常运行,适用于工业级设备和嵌入式系统。

应用

H5TC4G63EFR-RDAR 的高性能和稳定性使其适用于多种高端设备和系统。例如,在图形处理领域,它可以用于高端显卡和工作站,支持复杂的3D渲染和视频编辑任务;在服务器和存储设备中,这款DRAM芯片能够提供快速的数据访问能力,提升服务器的响应速度和数据处理效率;此外,H5TC4G63EFR-RDAR 也适用于高性能计算设备,如超级计算机和人工智能加速器,这些设备对内存带宽和容量有较高的要求;最后,由于其宽温度范围和可靠性,该芯片还可用于工业控制设备、嵌入式系统以及网络基础设施设备,例如路由器和交换机等。

替代型号

H5TC4G63EFR-PBAA, H5TC4G63EFR-RDAG, H5TC4G63EFR-RTAQ

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