时间：2025/9/3 20:01:18
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H5TC4G63EFR-RDAR 是由SK Hynix（海力士）生产的一款DRAM（动态随机存取存储器）芯片。该型号属于高带宽内存解决方案，适用于需要快速数据访问和高性能存储的应用场景。H5TC4G63EFR-RDAR 是一款容量为4GB、采用FBGA封装的DRAM芯片，支持高频率运行，满足现代电子设备对内存速度和容量的高要求。
容量：4GB
封装类型：FBGA
工作频率：800MHz
数据宽度：16位
电压：1.35V
工作温度范围：0°C至85°C
H5TC4G63EFR-RDAR 具有以下主要特性：
首先，它提供了较高的存储容量，4GB的容量适合处理大型数据集或需要高内存需求的应用，如图形处理、服务器存储和高性能计算设备。
其次，该芯片采用了FBGA（Fine-Pitch Ball Grid Array）封装技术，这种封装方式有助于减小芯片的体积，同时提供更好的电气性能和散热效果，确保芯片在高负载工作下的稳定性。
此外，H5TC4G63EFR-RDAR 支持800MHz的工作频率，这意味着它可以在单位时间内处理更多的数据请求，提高系统的整体性能表现。对于需要高速数据传输的应用，如视频流、实时数据分析和网络设备，这种高频率特性尤为重要。
该芯片的工作电压为1.35V，属于低电压设计，能够在保证性能的同时降低功耗，延长设备的续航时间并减少发热。
最后，H5TC4G63EFR-RDAR 的工作温度范围为0°C至85°C，这意味着它可以在较为恶劣的环境条件下正常运行，适用于工业级设备和嵌入式系统。
H5TC4G63EFR-RDAR 的高性能和稳定性使其适用于多种高端设备和系统。例如，在图形处理领域，它可以用于高端显卡和工作站，支持复杂的3D渲染和视频编辑任务；在服务器和存储设备中，这款DRAM芯片能够提供快速的数据访问能力，提升服务器的响应速度和数据处理效率；此外，H5TC4G63EFR-RDAR 也适用于高性能计算设备，如超级计算机和人工智能加速器，这些设备对内存带宽和容量有较高的要求；最后，由于其宽温度范围和可靠性，该芯片还可用于工业控制设备、嵌入式系统以及网络基础设施设备，例如路由器和交换机等。
H5TC4G63EFR-PBAA, H5TC4G63EFR-RDAG, H5TC4G63EFR-RTAQ
