容量：4Gbit
　　类型：DRAM
　　封装：FBGA
　　电压：1.35V
　　时钟频率：最高支持800MHz
　　数据速率：1600Mbps
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　接口类型：x16

H5TC4G63CFR-H9A 具有多种显著特性，使其成为高性能内存应用的理想选择。
　　首先，这款DRAM芯片采用了先进的制造工艺，提供了优异的电气性能和稳定性。其高密度存储单元设计使其能够实现4Gbit的大容量存储，满足现代设备对大内存的需求。
　　其次，H5TC4G63CFR-H9A 支持低电压操作（1.35V），从而有效降低了功耗和发热，适用于对能效要求较高的应用场景，如便携式设备和嵌入式系统。
　　此外，该芯片的接口为x16模式，支持高达1600Mbps的数据速率，确保了快速的数据存取能力。这种高速性能使其适用于需要实时数据处理的系统，例如图形处理、通信设备和工业控制设备。
　　最后，H5TC4G63CFR-H9A 的封装形式为FBGA（Fine-Pitch Ball Grid Array），这不仅有助于提高封装密度，还能提供更好的电气连接性能和热管理能力，从而增强整体系统的可靠性和耐用性。

H5TC4G63CFR-H9A 主要应用于需要高性能和大容量内存的电子设备中。首先，在计算机和服务器领域，这款DRAM芯片可以作为系统内存（RAM）使用，以提升系统的运行速度和多任务处理能力。
　　其次，该芯片也广泛应用于网络设备，例如路由器和交换机，用于高速缓存和数据转发操作，从而提高网络性能和数据传输效率。
　　在工业控制系统中，H5TC4G63CFR-H9A 可用于存储实时数据和控制指令，确保系统的稳定运行和快速响应。
　　此外，该芯片还适用于嵌入式系统和消费类电子产品，如智能电视、游戏机和高性能平板电脑，为这些设备提供强大的内存支持，以提升用户体验。

H5TC4G63CFR-PBA, H5TC4G63CFR-H9C, H5TC4G63CFR-RDA