时间：2025/7/29 18:26:02
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MTN18N50CFP是一款由Microsemi（现为L3Harris Technologies的一部分）制造的N沟道增强型功率MOSFET，广泛用于需要高效率和高可靠性的电源管理系统中。
类型：N沟道
漏源电压（Vds）：500V
漏极电流（Id）：18A（25°C）
导通电阻（Rds(on)）：0.24Ω
功率耗散（Ptot）：150W
工作温度范围：-55°C至150°C
封装类型：TO-220FP
MTN18N50CFP具备低导通电阻，有助于减少功率损耗，提高系统效率。其高耐压能力（500V）使其适用于高电压电源转换应用。此外，该MOSFET具有良好的热稳定性和可靠性，能够在高温环境下稳定工作。
该器件采用TO-220FP封装，具备良好的散热性能，适用于需要高功率密度的设计。此外，MTN18N50CFP还具备快速开关特性，减少了开关损耗，提高了整体系统性能。
MTN18N50CFP的内部结构优化，降低了寄生电感和电容，从而提高了器件在高频应用中的性能。该MOSFET适用于各种电源管理应用，包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电机控制和照明系统。
MTN18N50CFP主要应用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电机驱动、照明系统、工业控制设备以及需要高效功率管理的电子系统。
STP18N50M5, FQA18N50C, IRFP460LC
