时间：2025/9/15 2:49:48
阅读：38
PSMN039-100YS 是一款由 Nexperia（安世半导体）推出的 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用先进的 Trench 工艺制造，具有低导通电阻（Rds(on)）和高效率的特点。该器件适用于多种功率应用，如电源管理、DC-DC 转换器、负载开关、马达控制等。该 MOSFET 采用 LFPAK56（Power-SO8）封装，具备优异的热性能和机械稳定性，适合高密度和高可靠性要求的设计。
类型：N 沟道增强型 MOSFET
漏源电压（Vds）：100 V
栅源电压（Vgs）：±20 V
连续漏极电流（Id）：160 A（@Tc=25℃）
导通电阻（Rds(on)）：3.9 mΩ（@Vgs=10V）
功率耗散（Ptot）：130 W
工作温度范围：-55℃ ~ 175℃
封装形式：LFPAK56（也称为 Power-SO8）
栅极电荷（Qg）：80 nC（典型值）
输入电容（Ciss）：2750 pF（典型值）
开启阈值电压（Vgs(th)）：2.0 V ~ 4.0 V
PSMN039-100YS 具备出色的电气性能和热管理能力，其主要特点包括：
1. **极低导通电阻**：Rds(on) 仅为 3.9 mΩ，显著降低导通损耗，提高系统效率，适用于高电流应用场景。
2. **高电流承载能力**：在 25°C 环境下，连续漏极电流可达 160 A，满足高功率密度设计需求。
3. **先进封装技术**：采用 LFPAK56 封装，具备双面散热能力，热阻低，可有效提升器件在高负载下的可靠性。
4. **高耐用性和稳定性**：支持高达 175°C 的工作温度，适合严苛环境下的工业和汽车应用。
5. **优化的开关特性**：较低的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss），有助于减少开关损耗，提高开关频率下的性能表现。
6. **宽泛的栅极电压容限**：支持 ±20 V 栅极电压，增强了对驱动电路的兼容性。
7. **符合 RoHS 标准**：该器件符合无铅和 RoHS 环保标准，适用于绿色电子设计。
PSMN039-100YS 适用于多种功率电子系统，主要应用领域包括：
1. **DC-DC 转换器**：如同步整流器、降压（Buck）或升压（Boost）转换器，因其低 Rds(on) 和高效率特性，可提升电源模块的性能。
2. **电机控制**：用于 H 桥驱动电路或电机驱动器中，支持高电流负载，提高系统响应速度和效率。
3. **电池管理系统（BMS）**：作为负载开关或保护开关，用于电池充放电控制，确保系统的安全性和稳定性。
4. **汽车电子**：适用于车载充电器、起停系统、电动助力转向系统（EPS）等场景，满足汽车电子对可靠性和耐高温的要求。
5. **服务器和通信电源**：用于高效率服务器电源、VRM（电压调节模块）和电信整流器中，提高整体能效并降低散热需求。
6. **工业自动化设备**：如 PLC 控制器、伺服驱动器等，提供高效、稳定的功率开关功能。
IPB013N10N3 G, SQJQ160EP, PSMN041-100YS
