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PSMN039-100YS 发布时间 时间:2025/9/15 2:49:48 查看 阅读:22

PSMN039-100YS 是一款由 Nexperia(安世半导体)推出的 N 沟道增强型功率 MOSFET,采用先进的 Trench 工艺制造,具有低导通电阻(Rds(on))和高效率的特点。该器件适用于多种功率应用,如电源管理、DC-DC 转换器、负载开关、马达控制等。该 MOSFET 采用 LFPAK56(Power-SO8)封装,具备优异的热性能和机械稳定性,适合高密度和高可靠性要求的设计。

参数

类型:N 沟道增强型 MOSFET
  漏源电压(Vds):100 V
  栅源电压(Vgs):±20 V
  连续漏极电流(Id):160 A(@Tc=25℃)
  导通电阻(Rds(on)):3.9 mΩ(@Vgs=10V)
  功率耗散(Ptot):130 W
  工作温度范围:-55℃ ~ 175℃
  封装形式:LFPAK56(也称为 Power-SO8)
  栅极电荷(Qg):80 nC(典型值)
  输入电容(Ciss):2750 pF(典型值)
  开启阈值电压(Vgs(th)):2.0 V ~ 4.0 V

特性

PSMN039-100YS 具备出色的电气性能和热管理能力,其主要特点包括:
  1. **极低导通电阻**:Rds(on) 仅为 3.9 mΩ,显著降低导通损耗,提高系统效率,适用于高电流应用场景。
  2. **高电流承载能力**:在 25°C 环境下,连续漏极电流可达 160 A,满足高功率密度设计需求。
  3. **先进封装技术**:采用 LFPAK56 封装,具备双面散热能力,热阻低,可有效提升器件在高负载下的可靠性。
  4. **高耐用性和稳定性**:支持高达 175°C 的工作温度,适合严苛环境下的工业和汽车应用。
  5. **优化的开关特性**:较低的栅极电荷(Qg)和输入电容(Ciss),有助于减少开关损耗,提高开关频率下的性能表现。
  6. **宽泛的栅极电压容限**:支持 ±20 V 栅极电压,增强了对驱动电路的兼容性。
  7. **符合 RoHS 标准**:该器件符合无铅和 RoHS 环保标准,适用于绿色电子设计。

应用

PSMN039-100YS 适用于多种功率电子系统,主要应用领域包括:
  1. **DC-DC 转换器**:如同步整流器、降压(Buck)或升压(Boost)转换器,因其低 Rds(on) 和高效率特性,可提升电源模块的性能。
  2. **电机控制**:用于 H 桥驱动电路或电机驱动器中,支持高电流负载,提高系统响应速度和效率。
  3. **电池管理系统(BMS)**:作为负载开关或保护开关,用于电池充放电控制,确保系统的安全性和稳定性。
  4. **汽车电子**:适用于车载充电器、起停系统、电动助力转向系统(EPS)等场景,满足汽车电子对可靠性和耐高温的要求。
  5. **服务器和通信电源**:用于高效率服务器电源、VRM(电压调节模块)和电信整流器中,提高整体能效并降低散热需求。
  6. **工业自动化设备**:如 PLC 控制器、伺服驱动器等,提供高效、稳定的功率开关功能。

替代型号

IPB013N10N3 G, SQJQ160EP, PSMN041-100YS

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