H5TC2G83CFR-H9A 时间：2025/9/2 9:22:24 阅读：23

H5TC2G83CFR-H9A 是由SK Hynix公司生产的一款DRAM（动态随机存取存储器）芯片，广泛应用于计算机、服务器、嵌入式系统等领域。这款DRAM芯片采用的是高性能的CMOS工艺制造，具备高密度、低功耗、高速度等优点。该芯片的封装形式为FBGA（Fine Pitch Ball Grid Array），非常适合在空间受限的应用环境中使用。H5TC2G83CFR-H9A的具体规格和性能参数使其成为许多现代电子设备的理想存储解决方案。

参数

类型：DRAM
　　容量：256MB
　　组织结构：x8, x16
　　工作电压：2.3V - 3.6V
　　时钟频率：166MHz
　　数据速率：166MHz
　　封装类型：FBGA
　　引脚数量：54
　　温度范围：工业级（-40°C 至 +85°C）
　　接口类型：并行
　　访问时间：5.4ns
　　刷新周期：64ms

特性

H5TC2G83CFR-H9A 是一款具有高性能和低功耗特性的DRAM芯片，适用于多种电子设备。该芯片的容量为256MB，组织结构为x8或x16模式，用户可以根据实际应用需求灵活选择。其工作电压范围为2.3V至3.6V，具有较好的电压适应性，能够在不同的电源条件下稳定工作。芯片的时钟频率为166MHz，数据速率同样为166MHz，能够提供较高的数据传输效率，满足高速数据处理的需求。此外，H5TC2G83CFR-H9A采用了FBGA封装技术，具有较小的封装尺寸和优良的散热性能，适合在高密度电路设计中使用。
　　该芯片的存取时间为5.4ns，这意味着它可以在较短的时间内完成数据的读写操作，从而提高系统的整体性能。其刷新周期为64ms，确保了数据在存储过程中的稳定性和可靠性。H5TC2G83CFR-H9A的工作温度范围为工业级（-40°C至+85°C），使其能够在恶劣的环境条件下正常工作，适用于工业控制、通信设备、消费电子等多种应用场景。
　　此外，H5TC2G83CFR-H9A还具有较低的功耗特性，适合用于电池供电设备或对功耗敏感的应用场景。其并行接口设计使得数据传输更加高效，同时也简化了与主控芯片的连接。芯片内部采用了先进的CMOS工艺技术，进一步降低了功耗并提高了抗干扰能力。由于其高可靠性和稳定性，H5TC2G83CFR-H9A被广泛应用于各种电子设备中，如嵌入式系统、网络设备、视频监控设备等。