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PJA3412_R1_00001 发布时间 时间:2025/8/15 0:51:46 查看 阅读:9

PJA3412_R1_00001 是一款由Panasonic(松下)公司生产的功率MOSFET,主要用于需要高效能和高可靠性的电源管理应用。该器件采用先进的制造工艺,具有低导通电阻(RDS(on))和高电流处理能力,适用于DC-DC转换器、负载开关、电池管理系统以及其他高效率功率控制应用。PJA3412_R1_00001 采用小型表面贴装封装,便于在紧凑的电路设计中使用,并提供良好的热性能以确保在高负载条件下的稳定运行。

参数

类型:N沟道MOSFET
  漏源电压(VDS):30V
  栅源电压(VGS):20V
  连续漏极电流(ID):6A
  RDS(on):最大45mΩ(在VGS=10V时)
  功率耗散:2.5W
  工作温度范围:-55°C至150°C
  封装类型:SOP8

特性

PJA3412_R1_00001 具有多种显著的特性,使其在功率管理应用中表现出色。首先,其低导通电阻(RDS(on))显著降低了导通状态下的功率损耗,提高了整体系统效率。此外,该MOSFET具有高电流处理能力,可支持高达6A的连续漏极电流,适用于要求较高功率输出的应用场景。
  该器件采用先进的沟槽式MOSFET技术,提供出色的热稳定性和可靠性。其SOP8封装不仅节省空间,而且有助于提高PCB布局的灵活性,同时具备良好的散热性能,确保在高负载条件下也能稳定运行。
  PJA3412_R1_00001 的栅极驱动电压范围较宽,在4.5V至20V之间均可正常工作,使得其可以与多种控制器或驱动器配合使用,适用于多种电源管理拓扑结构,如同步整流、负载开关和电机控制等。
  

应用

PJA3412_R1_00001 主要应用于需要高效功率管理的电子设备中。例如,在DC-DC转换器中,该MOSFET可作为主开关或同步整流开关,有效提升转换效率并减少热量产生。在便携式电子产品如笔记本电脑、平板电脑和智能手机中,该器件可用于电池管理系统中的负载开关,以实现高效的电能分配和管理。
  此外,PJA3412_R1_00001 也适用于工业自动化设备、电机控制模块和LED照明驱动电路。其高可靠性和优异的热性能使其在高温环境下也能保持稳定的性能,适用于各种苛刻的工业应用场景。
  在电源管理系统中,该MOSFET还可用于电源多路复用、电源路径控制以及过流和过压保护电路中,确保系统在各种工作条件下都能安全、可靠地运行。

替代型号

Si4440DY-T1-GE3
  NDS355AN-T1-E3
  FDC640BN

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PJA3412_R1_00001参数

  • 现有数量44,493现货
  • 价格1 : ¥3.90000剪切带(CT)3,000 : ¥0.72122卷带(TR)
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)20 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)4.1A(Ta)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)1.8V,4.5V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)56 毫欧 @ 4.1A,4.5V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)1.2V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)4.6 nC @ 4.5 V
  • Vgs(最大值)±12V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)350 pF @ 10 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)1.25W(Ta)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装SOT-23
  • 封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3