内存类型：DRAM
　　制造商：SK Hynix
　　封装类型：FBGA
　　容量：1Gb（128MB）
　　数据速率：166MHz / 200MHz / 266MHz（根据具体版本）
　　电压：1.8V / 2.5V（根据具体工作模式）
　　位宽：16位
　　时钟频率：166MHz、200MHz、266MHz（根据具体型号后缀不同）
　　封装尺寸：54-ball FBGA
　　工作温度范围：-40°C至+85°C
　　数据传输模式：Double Data Rate (DDR)

H5TC1G63EFR-G7C具有多个关键特性，使其适用于移动设备和其他低功耗应用。首先，它支持多种工作频率模式，包括166MHz、200MHz和266MHz，允许设计者根据设备需求选择最佳性能级别。其次，该芯片支持低电压操作，通常在1.8V或2.5V下运行，从而降低了功耗并延长了电池寿命。此外，其采用的FBGA封装技术不仅节省了PCB空间，还提高了电气性能和热稳定性，确保设备在高负载下仍能保持稳定运行。
　　该芯片的DDR（双倍数据速率）架构能够在每个时钟周期内传输两次数据，从而显著提升了数据吞吐能力。同时，它具备自动刷新和自刷新功能，以维持数据完整性并降低系统功耗。其设计符合JEDEC标准，便于在多种系统中实现兼容性。此外，H5TC1G63EFR-G7C具备较高的可靠性和稳定性，适用于需要长期运行和高数据完整性的应用场景。

H5TC1G63EFR-G7C广泛应用于移动电子产品，如智能手机、平板电脑、便携式游戏设备以及嵌入式系统。此外，它也可用于需要低功耗和高性能内存的消费类电子产品，包括数码相机、MP3播放器、智能穿戴设备以及其他便携式电子设备。由于其紧凑的封装形式和优异的能效表现，该芯片也适用于对空间和功耗敏感的设计方案。

H5TC1G63EMR-G7C
　　H5TC1G63EKR-G7C
　　H5TC1G63EJR-G7C