时间：2025/8/6 3:41:08
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VUO200-16N07 是一款由 STMicroelectronics（意法半导体）制造的功率MOSFET模块，属于高功率密度、低导通电阻的N沟道MOSFET器件。该模块集成了多个MOSFET芯片，采用双列直插式封装（DIP），适用于高电流、高频率的开关应用。VUO200-16N07在功率转换、电机控制、工业自动化和电源管理系统中广泛应用。
型号: VUO200-16N07
类型: N沟道MOSFET模块
最大漏源电压(VDS): 160V
最大漏极电流(ID): 200A
导通电阻(RDS(on)): 7mΩ（典型值）
栅极电压(VGS): ±20V
工作温度范围: -55°C ~ +175°C
封装类型: DIP（双列直插式）
安装方式: 通孔插装
功率耗散(PD): 300W
热阻(Rth): 0.4°C/W（结到外壳）
VUO200-16N07 具有多个高性能特性，首先其低导通电阻（RDS(on)）仅为7mΩ，显著降低了导通损耗，提高了整体效率。其次，该模块采用先进的Power MOSFET技术，具备高开关速度和低开关损耗，非常适合高频开关应用。此外，VUO200-16N07具有优异的热性能，热阻为0.4°C/W，有助于快速散热，确保在高负载条件下的稳定性与可靠性。
该模块的封装设计优化了电流分布，减少了寄生电感，提高了系统的动态性能。同时，VUO200-16N07的双列直插式封装便于安装和焊接，适用于自动化生产和维修更换。其高耐压能力和大电流承载能力，使其在高功率应用场景中表现出色，如直流-直流转换器、逆变器、电机驱动器和不间断电源（UPS）系统。
此外，该模块还具备良好的短路和过热保护能力，增强了系统的安全性和耐用性。综合来看，VUO200-16N07是一款适用于工业级高功率应用的理想MOSFET模块。
VUO200-16N07 主要应用于高功率电子系统，如直流-直流转换器、开关电源（SMPS）、逆变器、电机驱动器和不间断电源（UPS）系统。此外，它也常用于工业自动化设备、电动车充电系统、可再生能源系统（如太阳能逆变器）以及电力电子设备的功率控制模块。由于其高电流能力和良好的热管理特性，该模块在需要高效能和高可靠性的电力电子系统中表现尤为突出。
STP200N10F7-1, IHW30N120R5-DS3, VUO200-16NO7
