时间：2025/9/1 12:00:43
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H5TC1G63EFR-G7A 是由SK Hynix（海力士）生产的一款DRAM（动态随机存取存储器）芯片，属于SDRAM类别，具体为DDR3 SDRAM。该芯片的容量为1Gb（Gigabit），工作电压为1.35V或1.5V，适用于高性能计算、网络设备、图形处理以及嵌入式系统等需要大容量高速内存的应用场景。其封装形式为FBGA（Fine-Pitch Ball Grid Array），具备良好的散热性能和高集成度。
容量：1Gb
类型：DDR3 SDRAM
电压：1.35V / 1.5V
封装类型：FBGA
数据速率：最高可达800Mbps（等效于PC3-12800）
组织结构：x16
工作温度：工业级（-40°C 至 +85°C）
H5TC1G63EFR-G7A 是一款高性能的DDR3 SDRAM芯片，具有较高的数据传输速率和稳定性。其低电压设计支持1.35V和1.5V两种工作电压，有助于降低功耗并提高能效，符合绿色电子产品的趋势。该芯片采用x16的组织结构，数据位宽为16位，能够在每个时钟周期传输两个数据单位，从而提升整体的数据吞吐能力。
此外，该器件采用了FBGA封装技术，使得芯片在有限的空间内实现了更高的集成度，同时具备良好的散热性能，适合在高密度PCB布局中使用。其工业级温度范围（-40°C 至 +85°C）也确保了其在各种恶劣环境下的稳定运行。
H5TC1G63EFR-G7A 通过严格的JEDEC标准认证，确保了与各种主流控制器和主板的兼容性。其内部采用了先进的工艺技术，具有较低的漏电流和优异的可靠性，适合长期运行的工业和网络设备使用。
H5TC1G63EFR-G7A 广泛应用于需要高速内存支持的设备和系统中，包括但不限于：
1. 高性能计算设备，如工作站、服务器；
2. 网络设备，如路由器、交换机；
3. 图形处理器（GPU）和显卡；
4. 嵌入式系统，如工业控制设备、智能终端；
5. 消费类电子产品，如高端智能手机、平板电脑。
H5TC1G63EFR-G7C, H5TC1G63EMR-G7A, H5TC1G63EFR-H9A
