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H5RS5223CFRN2C 发布时间 时间:2025/9/1 19:26:42 查看 阅读:29

H5RS5223CFRN2C 是一款由Hynix(现为SK hynix)生产的DRAM(动态随机存取存储器)芯片,属于高密度、高性能存储器产品系列。该型号专为高性能计算、服务器、网络设备以及图形处理系统等应用场景设计。H5RS5223CFRN2C 采用FBGA(Fine-Pitch Ball Grid Array)封装技术,具备较高的稳定性和散热性能,适用于对内存容量和速度要求较高的系统。

参数

类型:DRAM
  容量:256MB
  数据宽度:16位
  速度等级:-5C(对应时钟频率为166MHz)
  电压:2.3V - 3.6V
  封装:54-ball FBGA
  工作温度范围:工业级(-40°C 至 +85°C)
  接口类型:异步
  刷新模式:自动刷新/自刷新

特性

H5RS5223CFRN2C 是一款经典的异步DRAM芯片,具备良好的兼容性和稳定性。
  该芯片采用异步接口设计,无需与系统时钟严格同步,降低了时序控制的复杂度,适合中低速应用环境。
  其256MB的存储容量在嵌入式系统和老一代工业控制设备中具有广泛的适用性。
  支持自动刷新(Auto Refresh)和自刷新(Self Refresh)两种模式,能够有效延长数据保存时间,降低功耗。
  工作电压范围较宽(2.3V至3.6V),适应不同电源系统的设计需求,提高了系统的灵活性。
  FBGA封装形式不仅提供了良好的电气性能,还增强了芯片的抗干扰能力和机械可靠性,适用于对稳定性和耐用性有较高要求的应用场景。
  该芯片的工业级温度范围(-40°C至+85°C)使其能够在恶劣的环境条件下稳定运行,广泛适用于工业自动化、通信设备、车载电子等应用领域。

应用

H5RS5223CFRN2C 常用于嵌入式系统、工业控制设备、网络交换设备、通信基站、打印机、扫描仪、安防监控设备等对存储容量和稳定性有一定要求的电子产品中。
  此外,该芯片也适用于一些需要与老式处理器或控制器接口兼容的设计,如基于ARM7、ARM9、MIPS等架构的嵌入式平台。
  由于其异步接口特性,H5RS5223CFRN2C 特别适合用于非同步总线系统中的数据缓存或程序存储器扩展。
  在视频采集与显示系统中,该芯片也可作为帧缓存使用,支持图像数据的临时存储与处理。

替代型号

H5RS5223CFRNC1, H5RS5223CFRN-E2C, H5RS5223CFRN-E2, H5RS5223CFRN-5C

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