容量：512Kbit
　　组织方式：512K x 8位或64K x 8位
　　供电电压：2.3V至3.6V
　　访问时间：10ns
　　封装类型：TSOP、SOJ等
　　工作温度范围：-40°C至+85°C（工业级）
　　最大工作频率：100MHz
　　静态电流：典型值为10mA
　　封装引脚数：54引脚TSOP

MB61VH515 SRAM芯片具备多项显著特性，使其在多种应用场景中表现出色。首先，其高速访问时间为10ns，支持高达100MHz的工作频率，能够满足需要快速数据读写的应用需求。此外，MB61VH515的工作电压范围较宽，从2.3V到3.6V，使其在不同电源条件下都能稳定运行。该芯片还具备低功耗特性，在待机模式下静态电流非常低，适合对能耗敏感的应用场景。
　　MB61VH515采用CMOS技术，具备高抗干扰能力和稳定性，确保数据在各种环境条件下都能可靠存储。其封装形式包括TSOP和SOJ，适用于表面贴装工艺，便于集成到现代电子系统中。此外，该芯片的工作温度范围为-40°C至+85°C，符合工业级标准，适用于恶劣环境下的应用，如工业控制、汽车电子和通信设备。
　　在数据保持方面，MB61VH515不需要刷新操作，数据在供电状态下可保持不变，避免了动态RAM的刷新管理复杂性。同时，其数据写入和读取操作简单，支持异步访问模式，提高了系统的灵活性和兼容性。这些特性使MB61VH515成为需要高性能、低功耗和稳定存储的理想选择。

MB61VH515 SRAM芯片主要应用于需要高速数据存储和处理的场合，例如工业控制系统、通信设备、汽车电子、测试仪器以及嵌入式系统。其高可靠性和宽温度范围使其特别适合在严苛环境中运行。

IS61LV51216ALB4A-10B、CY62148E、AS6C62256