时间：2025/6/21 17:30:38
阅读：3
SH31B151K100CT 是一款高性能的 MOSFET 功率晶体管，广泛应用于开关电源、电机驱动和功率转换等场景。该器件采用了先进的制造工艺，确保其在高频开关应用中具备卓越的性能表现。
SH31B151K100CT 属于 N 沟道增强型 MOSFET，具有较低的导通电阻 (Rds(on)) 和快速开关特性，从而有效降低功耗并提升效率。其高击穿电压和大电流能力使其适用于多种工业和消费类电子产品中的功率管理需求。
类型：N沟道MOSFET
封装：TO-220
最大漏源电压(Vdss)：100V
连续漏极电流(Id)：15A
栅极电荷(Qg)：68nC
导通电阻(Rds(on))：10mΩ
工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
结温：150℃
SH31B151K100CT 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，有助于减少传导损耗，提高系统效率。
2. 高速开关能力，支持高频应用，适合现代电力电子设计。
3. 较高的雪崩能量承受能力，提升了器件在异常情况下的可靠性。
4. 小巧且坚固的 TO-220 封装，便于散热管理及PCB布局。
5. 符合 RoHS 标准，环保且适合全球市场应用。
该 MOSFET 器件的应用领域非常广泛，主要包括：
1. 开关电源 (SMPS) 中的主开关或同步整流元件。
2. 直流/直流 (DC-DC) 转换器中的功率开关。
3. 电动工具和家用电器中的电机驱动控制。
4. 工业自动化设备中的负载切换。
5. 太阳能逆变器以及其他可再生能源相关产品中的功率转换模块。
IRFZ44N, STP16NF06L
