H5RS5223CFR-14L是一款由Hyundai Electronics(现为SK Hynix)生产的高带宽DRAM(动态随机存取存储器)芯片,主要用于高性能计算、图形处理、游戏主机和工业设备等领域。这款芯片采用FBGA(Fine Pitch Ball Grid Array)封装,体积小、功耗低且性能稳定。H5RS5223CFR-14L的具体容量为256MB,数据总线宽度为16位,支持高速数据传输。
容量:256MB
数据总线宽度:16位
封装类型:FBGA
工作电压:2.3V - 3.6V
访问时间:5.4ns
最大工作频率:166MHz
温度范围:工业级(-40°C至+85°C)
H5RS5223CFR-14L是一款高性能的静态随机存储器(SRAM)芯片,采用先进的CMOS技术制造,具有低功耗和高速访问的特点。其FBGA封装形式不仅节省空间,还提供了良好的散热性能,适合用于高密度电路板设计。
该芯片支持异步操作,能够在不依赖系统时钟的情况下快速响应读写请求,从而提升系统整体运行效率。此外,H5RS5223CFR-14L具有宽电压工作范围(2.3V至3.6V),使其适用于多种电源环境,并具备较强的抗干扰能力,确保数据的稳定性和可靠性。
该SRAM芯片还支持多种控制信号,包括片选(CE)、输出使能(OE)和写使能(WE),以便与主控系统灵活对接。其高速访问时间(5.4ns)使其特别适合用于缓存、图像处理、实时控制系统等对响应速度要求较高的应用场景。
在工业级温度范围(-40°C至+85°C)下稳定工作,H5RS5223CFR-14L广泛应用于工业自动化、通信设备、汽车电子、嵌入式系统等领域,能够适应各种严苛的工作环境。
H5RS5223CFR-14L主要用于需要高速存储访问的嵌入式系统和工业控制设备。典型应用包括网络路由器、交换机、打印机、工业计算机、汽车导航系统、视频采集设备、医疗成像设备等。由于其高速读写能力和良好的温度适应性,该芯片也常用于实时数据处理和缓存存储场景。
IS61LV25616-10T, CY62148EVLL-45ZSXI, A62D2028N15P, H5RS5223CFR-10B