时间：2025/4/28 14:32:52
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SI7217-B-01-IV是Vishay Siliconix公司推出的一款N沟道MOSFET功率晶体管。该器件采用TrenchFET Gen III技术制造，具有极低的导通电阻（Rds(on)），可显著降低传导损耗，提升系统效率。它主要适用于消费电子、工业控制以及通信设备中的负载开关、DC-DC转换器和电池管理等应用。
这款MOSFET采用了微型的 Vishay TSOP686B-4 (WLCSP) 封装，能够满足空间受限设计的需求，同时提供出色的电气性能和热特性。
最大漏源电压(Vds)：30V
最大栅源电压(Vgs)：±8V
连续漏极电流(Id)：9.4A
导通电阻(Rds(on))：1.5mΩ
栅极电荷(Qg)：12nC
输入电容(Ciss)：860pF
总功耗(Ptot)：1.1W
工作温度范围(Ta)：-55°C 至 +175°C
封装类型：TSOP686B-4 (WLCSP)
SI7217-B-01-IV具备非常低的导通电阻，仅为1.5mΩ，这使得其在高电流应用中表现优异，能够有效减少能量损耗并提高整体效率。
其采用的TrenchFET Gen III技术带来了卓越的开关性能，同时优化了芯片尺寸与散热能力。
由于其小体积的TSOP686B-4 (WLCSP)封装形式，该器件非常适合用于便携式设备和其他对PCB空间有严格要求的设计。
此外，该器件支持较宽的工作温度范围(-55°C至+175°C)，保证了在极端环境条件下的可靠运行。
SI7217-B-01-IV广泛应用于各种需要高效能功率开关的场合，包括但不限于：
1. 消费类电子产品中的负载开关和电源管理。
2. 工业自动化和控制系统中的信号调节与驱动电路。
3. 通信基础设施中的电源转换模块和备用电池管理系统。
4. 笔记本电脑和平板电脑等便携式设备的充电电路和电池保护。
5. 高效DC-DC转换器和POL(点负载)转换器。
SI7146DP, SI4425DY, FDN337AN
