类型：光耦合器（LED + 光电晶体管）
　　电流传输比（CTR）：20% - 400% @ IF = 10 mA，VCE = 5 V
　　正向电流（IF）：60 mA 最大
　　集电极-发射极电压（VCE）：30 V 最大
　　工作温度范围：-55°C 至 +100°C
　　封装类型：6-DIP（0.400"，10.16 mm）
　　隔离电压：5300 Vrms 最小
　　响应时间（Ton/Toff）：10 μs / 10 μs 典型值

4N27STA-V 光耦合器具有优异的电气隔离性能和稳定的工作特性，能够在恶劣的工业环境中可靠运行。其主要特性包括：高隔离电压（可达5300 Vrms），确保输入和输出电路之间良好的电气隔离；宽电流传输比（CTR）范围（20%-400%），适应不同的驱动和负载需求；采用红外LED与光电晶体管组合，具有快速响应时间（Ton和Toff均为10μs），适合高速信号传输应用；工作温度范围宽（-55°C至+100°C），适用于各种环境条件下的稳定运行；封装形式为标准6-DIP，便于安装和替换。
　　此外，该器件的LED部分具有较低的正向电压降（典型值1.2V），在10mA驱动电流下即可实现良好的光电转换效率，从而降低功耗并提高系统能效。同时，集电极-发射极最大电压可达30V，使其适用于多种电压等级的控制电路。4N27STA-V还具有良好的抗干扰能力，能够有效防止电磁干扰（EMI）对信号传输的影响，保证系统稳定性。
　　由于其出色的性能和可靠性，4N27STA-V被广泛应用于电力电子设备、工业自动化控制系统、电机驱动电路、PLC（可编程逻辑控制器）、开关电源、变频器等领域。

4N27STA-V 主要应用于需要电气隔离和信号传输的场合，例如工业自动化控制系统、PLC（可编程逻辑控制器）、电机驱动器、变频器、开关电源、继电器控制、电气测试设备、安全控制系统等。在这些应用中，4N27STA-V 能够有效地隔离高压侧和低压侧电路，保护控制单元免受高电压或高电流的影响，同时实现信号的稳定传输。此外，该光耦合器也可用于数字通信接口、电源监测、电平转换等电路设计中，提供可靠的信号隔离和电气保护功能。

4N25, 4N26, 4N27, 4N35, TLP521