H5PS5162EFR-Y5C 时间：2025/9/3 18:19:37 阅读：6

H5PS5162EFR-Y5C 是由SK Hynix（海力士）公司生产的一款高性能DRAM（动态随机存取存储器）芯片，广泛应用于需要高速数据存储和访问的电子设备中。该芯片采用FBGA（Fine Pitch Ball Grid Array）封装技术，具有较小的封装尺寸和良好的电气性能，适合在空间受限的应用场景中使用。

参数

容量：256MB
　　组织结构：16M x 16
　　电压：1.8V
　　工作温度：-40°C 至 +85°C
　　封装类型：FBGA
　　数据速率：166MHz/200MHz
　　数据宽度：16位
　　

特性

H5PS5162EFR-Y5C 提供了高速的读写性能，适用于需要快速数据存取的应用场景。
　　该芯片的工作电压为1.8V，有助于降低功耗并提高能效，适用于便携式设备和低功耗应用。
　　支持-40°C 至 +85°C的工作温度范围，能够在较为恶劣的环境中稳定运行。
　　采用了FBGA封装技术，减小了芯片的体积，同时提高了信号完整性和热管理性能。
　　其16位的数据宽度设计能够满足对数据传输效率有较高要求的系统需求。
　　该芯片的高可靠性和稳定性使其在工业控制、消费电子、网络设备等领域得到广泛应用。

应用

H5PS5162EFR-Y5C 常用于各种需要高性能存储的电子设备中，包括但不限于：
　　嵌入式系统：用于工业控制、自动化设备和智能家电中，提供快速的数据存储和处理能力。
　　网络设备：适用于路由器、交换机等通信设备，提高数据传输和处理的效率。
　　消费电子产品：如智能手机、平板电脑和智能电视等，为设备提供可靠的内存支持。
　　汽车电子：用于车载导航、娱乐系统和驾驶辅助系统中，确保在复杂环境下的稳定运行。
　　测试与测量设备：用于高精度的数据采集和分析，提高设备的响应速度和处理能力。