时间：2025/9/2 9:40:50
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H5PS2G63EMR-S6C 是由SK Hynix公司生产的一款高性能DRAM（动态随机存取存储器）芯片。该芯片采用先进的制造工艺和高性能设计，适用于需要高速内存访问的应用场景，如网络设备、服务器、高性能计算设备以及图形处理器等。这款DRAM芯片采用FBGA（Fine-Pitch Ball Grid Array）封装技术，提供了良好的电气性能和散热性能，同时减小了PCB布局的空间需求。
存储容量：2Gb
内存类型：DRAM
封装类型：FBGA
工作电压：1.35V - 1.5V
数据速率：6400Mbps
接口类型：Parallel
时钟频率：800MHz
数据总线宽度：x16
H5PS2G63EMR-S6C 是一款高性能、低功耗的DRAM芯片，其主要特性包括高数据传输速率、低电压操作以及紧凑的封装设计。该芯片支持高速并行接口，能够在高频下稳定运行，适用于需要高带宽内存的系统。此外，该器件采用低功耗设计，能够在保持高性能的同时降低整体功耗，提高系统能效。其FBGA封装形式不仅提供了更小的占板面积，还改善了高频下的信号完整性，减少了电磁干扰（EMI）的影响。该芯片还具有良好的热管理能力，能够在高温环境下稳定运行，提高了系统的可靠性和耐用性。
H5PS2G63EMR-S6C 主要用于需要高速内存处理的应用场景，如高端服务器、网络交换设备、图形处理单元（GPU）、嵌入式计算平台、工业控制系统以及高性能计算模块。由于其高速数据传输能力和低功耗特性，这款DRAM芯片也非常适合用于消费类电子产品，如游戏主机、智能电视和高性能存储设备。
H5PS2G63EFR-S6C, H5PS1G83EFR-S6C, H5PS2G83EMR-S6C
