时间：2025/9/2 8:32:15
阅读：26
H5PS1G83JFR-G7C 是由SK Hynix（海力士）生产的一种高密度、高性能的DRAM（动态随机存取存储器）芯片。该芯片属于高带宽内存（HBM，High Bandwidth Memory）技术，主要应用于高性能计算、图形处理和人工智能等领域。
容量：1GB
类型：DRAM
封装类型：BGA（球栅阵列封装）
接口：HBM2（High Bandwidth Memory 2）
工作电压：1.3V
数据速率：2.4Gbps
带宽：307GB/s
封装尺寸：1286 Ball
制造工艺：先进制程技术
工作温度范围：-40°C至+85°C
H5PS1G83JFR-G7C 是一款基于HBM2技术的高性能存储芯片，具备以下主要特性：
1. **高带宽**：通过堆叠多个DRAM芯片并采用宽总线接口，实现了极高的数据传输带宽，最高可达307GB/s，适用于需要大量数据吞吐的应用场景。
2. **低功耗设计**：相比传统GDDR5或GDDR6显存，HBM2在相同带宽下能够提供更低的功耗，有助于提高能效。
3. **紧凑封装**：由于采用了堆叠式封装技术，该芯片在PCB板上占用的空间更小，适合高密度设计。
4. **可靠性高**：该芯片在设计上具备良好的热管理和稳定性，适用于长时间高负载运行的高性能计算设备。
5. **广泛兼容性**：HBM2标准确保了该芯片与多种GPU、FPGA和AI加速器平台的兼容性。
H5PS1G83JFR-G7C 主要应用于需要高带宽内存支持的高性能计算设备和图形系统，包括：
1. **高端显卡与GPU**：用于图形渲染、深度学习训练与推理等场景。
2. **AI加速器**：为人工智能和机器学习提供高速数据访问能力。
3. **服务器与数据中心**：用于需要大量内存带宽的云计算和大数据处理任务。
4. **高性能嵌入式系统**：如自动驾驶、图像识别和实时数据分析系统。
H5PS2G83EFR-G7C, H5PS1G83JFR-S6C, H5PS1G83EFR-G7C
