H5PS1G83JFR-G7C 是由SK Hynix(海力士)生产的一种高密度、高性能的DRAM(动态随机存取存储器)芯片。该芯片属于高带宽内存(HBM,High Bandwidth Memory)技术,主要应用于高性能计算、图形处理和人工智能等领域。
容量:1GB
类型:DRAM
封装类型:BGA(球栅阵列封装)
接口:HBM2(High Bandwidth Memory 2)
工作电压:1.3V
数据速率:2.4Gbps
带宽:307GB/s
封装尺寸:1286 Ball
制造工艺:先进制程技术
工作温度范围:-40°C至+85°C
H5PS1G83JFR-G7C 是一款基于HBM2技术的高性能存储芯片,具备以下主要特性:
1. **高带宽**:通过堆叠多个DRAM芯片并采用宽总线接口,实现了极高的数据传输带宽,最高可达307GB/s,适用于需要大量数据吞吐的应用场景。
2. **低功耗设计**:相比传统GDDR5或GDDR6显存,HBM2在相同带宽下能够提供更低的功耗,有助于提高能效。
3. **紧凑封装**:由于采用了堆叠式封装技术,该芯片在PCB板上占用的空间更小,适合高密度设计。
4. **可靠性高**:该芯片在设计上具备良好的热管理和稳定性,适用于长时间高负载运行的高性能计算设备。
5. **广泛兼容性**:HBM2标准确保了该芯片与多种GPU、FPGA和AI加速器平台的兼容性。
H5PS1G83JFR-G7C 主要应用于需要高带宽内存支持的高性能计算设备和图形系统,包括:
1. **高端显卡与GPU**:用于图形渲染、深度学习训练与推理等场景。
2. **AI加速器**:为人工智能和机器学习提供高速数据访问能力。
3. **服务器与数据中心**:用于需要大量内存带宽的云计算和大数据处理任务。
4. **高性能嵌入式系统**:如自动驾驶、图像识别和实时数据分析系统。
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