H5PS1G63EFRBGA256X16 是由SK Hynix(海力士)生产的一款高性能DRAM(动态随机存取存储器)芯片,属于移动LPDDR3(Low Power Double Data Rate 3)系列。该型号通常用于高端智能手机、平板电脑、嵌入式系统等对功耗和性能有较高要求的设备中。这款DRAM芯片采用BGA(球栅阵列)封装技术,具备良好的电气性能和热稳定性。
容量:1Gb(128MB)
组织结构:x16位总线宽度
封装类型:FBGA
封装尺寸:256-ball
工作电压:1.2V(核心电压),1.8V(I/O电压)
接口标准:LPDDR3 SDRAM
时钟频率:最高支持800MHz
数据速率:1600Mbps(双倍数据速率)
温度范围:工业级(-40°C 至 +85°C)
H5PS1G63EFRBGA256X16 是一款低功耗、高性能的移动内存芯片,适用于移动设备和嵌入式系统。该芯片采用先进的DRAM技术,具有较高的数据传输速率和较低的工作电压,有助于延长设备的电池寿命。
其x16的数据总线宽度提供了更高的数据吞吐能力,适合需要大量数据处理的应用场景,如高清视频播放、3D图形渲染和多任务操作系统。封装方面,该芯片采用256-ball FBGA封装,确保了良好的信号完整性和热管理能力,适用于紧凑型设备的设计。
此外,该型号支持多种低功耗模式,包括自刷新、深度掉电模式等,可以在设备待机或低功耗状态下显著降低能耗。其工业级温度范围(-40°C至+85°C)也使其适用于各种严苛环境下的应用,如车载电子、工业控制和户外设备等。
在电气特性方面,H5PS1G63EFRBGA256X16 采用1.2V的核心电压和1.8V的I/O电压,分别用于内部电路供电和输入/输出接口供电,这种分离式供电设计有助于提高信号稳定性和降低功耗。
H5PS1G63EFRBGA256X16 广泛应用于高端智能手机、平板电脑、便携式媒体播放器、嵌入式计算平台、车载信息娱乐系统(IVI)、工业控制系统以及智能穿戴设备等需要高性能和低功耗内存的领域。
H5PS1G63EFRBGA256X16 可以与 H5PS1G63EFRBGA256、H5PS1G63ECRBGA256、H5PS1G63ECR 等型号进行替代,但需根据具体应用需求和PCB设计进行兼容性评估。