TPI12012N是一款由TPOWER(台半)生产的功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要用于高功率密度和高效率的电源转换应用。这款MOSFET采用了先进的沟槽技术,具有低导通电阻和高电流处理能力,适用于开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、电机控制、电池管理系统以及其他高功率电子设备。TPI12012N的封装形式为TO-220,便于散热和安装,适用于各种工业和消费类电子产品。
类型:N沟道MOSFET
漏极-源极电压(Vds):120V
栅极-源极电压(Vgs):±20V
连续漏极电流(Id):12A
导通电阻(Rds(on)):最大0.25Ω(典型值0.22Ω)
工作温度范围:-55°C至150°C
封装形式:TO-220
TPI12012N具有多项优异特性,使其在高功率应用中表现出色。首先,其低导通电阻(Rds(on))可减少导通损耗,提高电源转换效率。其次,该MOSFET采用了先进的沟槽技术,增强了电流处理能力和热稳定性,能够在高温环境下稳定工作。
此外,TPI12012N的栅极驱动电压范围较宽,支持常见的10V至15V驱动电压,兼容多种驱动电路设计。该器件还具备良好的抗雪崩能力,能够承受瞬时过电压,提高系统的可靠性和耐用性。
在封装方面,TPI12012N采用TO-220封装,具备良好的散热性能,适用于需要高功率密度的设计。其结构设计优化了内部引线电感,减少了开关过程中的振荡和损耗,提升了整体性能。
TPI12012N广泛应用于多种电源管理系统和功率电子设备中。主要应用包括开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、AC-DC适配器、电机控制模块、电池管理系统(BMS)、LED驱动电源、工业自动化设备以及消费类电子产品中的功率控制电路。由于其高可靠性和优异的热性能,TPI12012N特别适合对空间和效率要求较高的设计场景。
TPI12012N的替代型号包括IRF120、STP12NK120Z、FDP12N120等。