TPI12012N 时间：2025/7/22 13:42:32 阅读：7

TPI12012N是一款由TPOWER（台半）生产的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高功率密度和高效率的电源转换应用。这款MOSFET采用了先进的沟槽技术，具有低导通电阻和高电流处理能力，适用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电机控制、电池管理系统以及其他高功率电子设备。TPI12012N的封装形式为TO-220，便于散热和安装，适用于各种工业和消费类电子产品。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏极-源极电压（Vds）：120V
　　栅极-源极电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：12A
　　导通电阻（Rds(on)）：最大0.25Ω（典型值0.22Ω）
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装形式：TO-220

特性

TPI12012N具有多项优异特性，使其在高功率应用中表现出色。首先，其低导通电阻（Rds(on)）可减少导通损耗，提高电源转换效率。其次，该MOSFET采用了先进的沟槽技术，增强了电流处理能力和热稳定性，能够在高温环境下稳定工作。
　　此外，TPI12012N的栅极驱动电压范围较宽，支持常见的10V至15V驱动电压，兼容多种驱动电路设计。该器件还具备良好的抗雪崩能力，能够承受瞬时过电压，提高系统的可靠性和耐用性。
　　在封装方面，TPI12012N采用TO-220封装，具备良好的散热性能，适用于需要高功率密度的设计。其结构设计优化了内部引线电感，减少了开关过程中的振荡和损耗，提升了整体性能。

应用

TPI12012N广泛应用于多种电源管理系统和功率电子设备中。主要应用包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、AC-DC适配器、电机控制模块、电池管理系统（BMS）、LED驱动电源、工业自动化设备以及消费类电子产品中的功率控制电路。由于其高可靠性和优异的热性能，TPI12012N特别适合对空间和效率要求较高的设计场景。