HMC307QS16GERTR 是 Analog Devices(亚德诺半导体)公司生产的一款高性能、宽带宽、GaAs MMIC(单片微波集成电路)低噪声放大器(LNA)。该器件专为在高频应用中提供卓越的噪声性能和增益而设计,适用于通信系统、测试设备、军事雷达和工业测量设备等需要高灵敏度和低噪声的场景。该芯片采用16引脚TSSOP封装,符合RoHS标准,适用于表面贴装。
工作频率范围:50 MHz - 3 GHz
噪声系数:1.3 dB(典型值)
增益:19 dB(典型值)
输出IP3:+37 dBm(典型值)
工作电压:5 V
工作电流:85 mA(典型值)
输入/输出阻抗:50 Ω
封装类型:16引脚TSSOP
HMC307QS16GERTR 是一款专为高性能射频和微波系统设计的低噪声放大器(LNA)。其工作频率范围覆盖50 MHz至3 GHz,使其适用于多种宽带应用。该器件采用GaAs(砷化镓)MMIC工艺制造,确保了在高频下的卓越性能。在25°C环境下,其典型噪声系数仅为1.3 dB,这一低噪声特性使其成为高灵敏度接收器前端的理想选择。放大器的典型增益为19 dB,确保在低输入信号水平下仍能提供足够的信号放大。
该放大器具有出色的线性度性能,其输出三阶交调截距(OIP3)为+37 dBm,表明其在面对强信号时仍能保持良好的线性响应,减少信号失真。HMC307QS16GERTR 的工作电压为5 V,典型工作电流为85 mA,功耗相对较低,适合需要高效能但功耗受限的应用场景。此外,其输入和输出阻抗均为50 Ω,能够轻松与常见的射频系统进行阻抗匹配,减少信号反射,提高系统稳定性。
该器件采用16引脚TSSOP封装,具有良好的热稳定性和机械稳定性,适用于表面贴装工艺,便于集成到现代高密度PCB设计中。同时,该封装设计也有助于减少寄生效应,提升高频性能。整体来看,HMC307QS16GERTR 在性能、可靠性和集成度方面都表现出色,是一款适用于多种高频应用的优秀低噪声放大器。
HMC307QS16GERTR 广泛应用于需要高性能低噪声放大的射频和微波系统中。常见的应用包括无线通信基础设施(如蜂窝基站、微波回传系统)、测试与测量设备(如频谱分析仪和信号发生器)、雷达系统(尤其是军事和航空雷达)、工业监测与控制系统,以及宽带接收器前端。由于其宽频带特性和低噪声系数,该器件也适用于卫星通信、GPS接收器和射频识别(RFID)系统。
HMC414LC3BTR, HMC513LC4TR, HMC715LC4BTR