HY5PS121621CFP-2 是一款由Hynix(现为SK Hynix)生产的高性能DRAM(动态随机存取存储器)芯片,属于移动型低功耗DRAM(Mobile SDRAM)系列,专为便携式和低功耗应用设计。该型号为16M x 16位的DRAM芯片,采用CMOS工艺制造,具备低电压操作、高速存取和高集成度等特点。
类型:DRAM
容量:256Mb(16M x 16位)
组织结构:x16
电压:2.3V - 3.6V(标准模式) / 1.8V - 3.6V(低功耗模式)
访问时间:5.4ns(最大)
封装形式:TSOP(Thin Small Outline Package)
工作温度范围:-40°C 至 +85°C
时钟频率:166MHz
接口类型:并行接口
功耗:低功耗设计,适用于电池供电设备
HY5PS121621CFP-2 具备多项优异特性,使其适用于高性能嵌入式系统和便携设备。首先,该芯片支持低功耗模式(CMOS待机模式),在非活跃状态下显著降低功耗,延长电池寿命。
其次,其高速访问时间(5.4ns)确保了数据的快速读写能力,满足高性能应用的需求。
此外,该芯片采用CMOS工艺制造,具有高稳定性和抗干扰能力,可在复杂电磁环境中可靠运行。
封装形式为TSOP,便于安装在PCB上,并具备良好的散热性能。
工作温度范围宽(-40°C至+85°C),适应各种工业和车载环境。
最后,HY5PS121621CFP-2支持多种刷新模式(如自动刷新和自刷新),有效维持数据完整性。
该芯片广泛应用于各类便携式电子产品,如智能手机、平板电脑、PDA(个人数字助理)等。同时,HY5PS121621CFP-2也适用于嵌入式系统、工业控制设备、车载导航系统、消费类电子产品以及无线通信模块等对功耗和性能有较高要求的场景。
IS42S16400F-6T, MT48LC16M2A2B4-6A, K4S641632C-TC75