LBAS21 时间：2025/8/13 3:23:44 阅读：9

LBAS21是一款由Nexperia（安世半导体）制造的双通道N沟道增强型MOSFET，采用DFN1006-3封装。这款MOSFET主要用于电源管理和开关应用，具有低导通电阻、高开关速度和良好的热性能。LBAS21适用于需要高效能和紧凑设计的便携式电子设备、电源转换器和负载开关等应用。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　封装：DFN1006-3
　　漏极电流（ID）：最大1.1A（VGS=4.5V）
　　漏极-源极电压（VDS）：最大20V
　　栅极-源极电压（VGS）：±8V
　　导通电阻（RDS(on)）：最大0.27Ω（VGS=4.5V）
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　功率耗散：最大200mW

特性

LBAS21 MOSFET具有多个显著特性，使其适用于各种高性能电子应用。首先，其低导通电阻（RDS(on)）确保了在高电流应用中较低的功率损耗，提高了系统效率。其次，DFN1006-3封装不仅提供了优异的热性能，还具备紧凑的尺寸，非常适合空间受限的设计。
　　该器件的高开关速度有助于减少开关损耗，提高整体系统性能。此外，LBAS21的栅极驱动电压范围宽广，支持常见的3.3V和5V逻辑电平，便于与不同类型的控制器配合使用。
　　该MOSFET具有良好的耐压能力，漏极-源极电压（VDS）可达20V，适合中低压电源转换应用。其工作温度范围广泛（-55°C至150°C），适用于各种严苛环境下的稳定运行。

应用

LBAS21适用于多种电源管理和开关应用。常见应用包括DC-DC转换器、电池管理系统、负载开关、电源分配系统以及便携式电子产品中的电源控制模块。由于其紧凑的DFN封装，LBAS21也常用于空间受限的PCB设计，如智能手机、平板电脑、可穿戴设备和小型电源适配器。
　　在工业自动化系统中，LBAS21可用于控制小型电机、继电器和传感器的电源开关，提供高效的开关控制和可靠的热稳定性。此外，在汽车电子系统中，它也可用于低功率负载的控制，例如LED照明驱动、车窗控制电机的电源管理等。
　　由于其低导通电阻和高开关速度，LBAS21还可以用于高频开关应用，如无线充电电路和功率放大器的电源管理部分。