型号：H5MS5162DFR-K3M
　　厂商：SK Hynix
　　类型：DRAM
　　内存类型：LPDDR4
　　容量：2 Gb
　　封装：186-ball BGA
　　电压：1.1V
　　数据速率：3200 Mbps
　　工作温度：-40°C ~ +85°C
　　接口：JEDEC标准接口
　　封装尺寸：9.5 mm x 11.5 mm

H5MS5162DFR-K3M具有多项显著特性。首先，它属于LPDDR4（低功耗双倍数据速率第四代）技术，这使其在数据传输速率方面表现优异，能够支持高达3200 Mbps的数据速率，从而提升设备的整体性能。其次，该芯片采用了低电压设计（1.1V），有效降低了功耗，延长了移动设备的电池续航时间。
　　此外，H5MS5162DFR-K3M采用了先进的制造工艺，使其在较小的封装尺寸下实现高存储密度，适用于对空间要求严格的便携式设备。该芯片的186-ball BGA封装形式，确保了良好的电气性能和机械稳定性，提高了产品的可靠性和耐用性。
　　该DRAM芯片支持多种低功耗模式，包括深度掉电模式和自刷新模式，进一步优化了设备的能效。其工作温度范围为-40°C至+85°C，适应各种严苛的工作环境，确保设备在不同条件下都能稳定运行。
　　最后，H5MS5162DFR-K3M遵循JEDEC标准接口规范，确保了与其他系统的兼容性，并简化了系统设计和集成过程。

H5MS5162DFR-K3M主要应用于高性能移动设备，如智能手机和平板电脑，为这些设备提供高速、低功耗的内存解决方案。在智能手机中，该芯片可以支持多任务处理、高清视频播放和大型游戏等高负载应用，提升用户体验。平板电脑使用该芯片后，能够实现更流畅的操作和更长的电池续航时间。
　　除了移动设备，H5MS5162DFR-K3M也可用于其他便携式电子产品，如智能穿戴设备、手持终端和嵌入式系统。在这些应用中，其高容量和低功耗特性能够有效提升设备的性能和续航能力。
　　此外，该芯片还可用于汽车电子系统中，如车载信息娱乐系统（IVI）和高级驾驶辅助系统（ADAS），在高温环境下依然保持稳定运行。由于其广泛的适用性和高性能表现，H5MS5162DFR-K3M也成为工业控制和通信设备中的理想选择。

H5MS5162EFR-K3M, H5MS5162FFR-K3M, H5MS5162GFR-K3M