时间：2025/9/2 14:18:58
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HY57V561620BLT-H是一款由Hynix（现为SK hynix）生产的高速CMOS动态随机存取存储器（DRAM）芯片。该型号属于SDRAM（同步动态随机存取存储器）类别，广泛应用于计算机内存、嵌入式系统、工业设备和消费类电子产品中。HY57V561620BLT-H具有较大的存储容量和较高的数据传输速率，适合需要高性能存储解决方案的系统。
类型：DRAM SDRAM
容量：256Mbit
组织结构：16M x 16
工作电压：3.3V
时钟频率：166MHz
数据速率：166MHz
数据宽度：16位
封装类型：TSOP
引脚数：54
工作温度范围：工业级（-40°C至+85°C）
接口标准：LVTTL
HY57V561620BLT-H是一款高性能的SDRAM芯片，具有良好的稳定性和可靠性。其采用同步接口设计，能够在高速时钟频率下稳定运行，适用于需要快速数据访问的系统。该芯片的166MHz时钟频率和数据速率，使得其在处理大量数据时表现出色。此外，该芯片支持突发模式（Burst Mode）操作，能够显著提升数据传输效率，减少访问延迟。
其低电压供电（3.3V）设计不仅降低了功耗，也提高了芯片的能效，适合对功耗有一定要求的应用场景。HY57V561620BLT-H的封装形式为TSOP（薄型小外形封装），具有较小的封装体积，适合在空间受限的PCB设计中使用。
该芯片还具备自刷新（Self-Refresh）功能，可以在低功耗模式下保持数据完整性，延长设备的电池续航时间。同时，它也支持自动预充电（Auto Precharge）和突发长度控制（Burst Length Control）等功能，增强了系统的灵活性和可配置性。
HY57V561620BLT-H适用于多种高性能存储需求的电子设备和系统，如工业控制计算机、嵌入式系统、网络设备、通信设备、视频采集与处理设备、智能家电、医疗设备和消费类电子产品等。该芯片的高速数据传输能力和稳定的性能，使其特别适合用于需要大量数据缓存和快速访问的场景，例如图像处理、实时数据采集和缓冲存储等应用。此外，由于其工业级工作温度范围，该芯片也常用于需要在恶劣环境条件下稳定运行的工业控制系统和自动化设备。
IS42S16400J-6T、MT48LC16M2A2B4-6A、K4S641632H-TCL0
