类型: N 沟道 MOSFET
　　漏源电压 Vds: 1000V
　　栅源电压 Vgs: ±30V
　　连续漏极电流 Id: 4A
　　功率耗散 Pd: 50W
　　导通电阻 Rds(on): 2.2Ω（最大）
　　工作温度范围: -55°C 至 +150°C
　　封装形式: TO-220

SV1040V MOSFET 的核心特性之一是其高耐压能力，漏源电压可高达 1000V，使其适用于高电压开关应用，如电源供应器和高压逆变器。该器件的栅源电压范围为 ±30V，具有良好的栅极控制能力，能够在较宽的驱动电压范围内稳定工作。
　　其导通电阻 Rds(on) 最大为 2.2Ω，在高电压条件下仍能保持较低的导通损耗，从而提高整体系统效率。此外，SV1040V 在连续漏极电流方面可支持高达 4A 的电流，适合中高功率应用。
　　该器件采用 TO-220 封装，具有良好的散热性能，便于安装在散热片上以提高热管理能力。TO-220 封装还具备较高的机械稳定性和电气隔离能力，适合工业环境中的高可靠性应用。
　　SV1040V 还具有快速开关能力，减少了开关过程中的能量损耗，降低了发热问题。其工作温度范围为 -55°C 至 +150°C，适用于多种环境条件下的稳定运行。

SV1040V 广泛应用于各种高电压和中功率开关电路中，例如开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、电机控制电路、逆变器、LED 驱动电源以及工业自动化设备中的功率控制模块。由于其高耐压和低导通电阻特性，该器件也适用于需要高效率和高稳定性的电源管理系统。
　　在开关电源中，SV1040V 可作为主开关器件，用于将输入电压转换为所需的输出电压，同时保持较高的转换效率。在电机控制应用中，该 MOSFET 可用于 PWM 控制，实现对电机转速和扭矩的精确调节。
　　此外，SV1040V 还可用于 LED 照明系统的恒流驱动电路，确保 LED 的稳定工作并延长使用寿命。在逆变器系统中，该器件可作为功率开关，将直流电转换为交流电以驱动交流负载。

IXFP4N100C, IRF840, FQA4N100