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GA1210Y333KBAAR31G 发布时间 时间:2025/6/3 11:27:19 查看 阅读:4

GA1210Y333KBAAR31G 是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要应用于电源管理、电机驱动以及各种开关电路中。该芯片采用先进的半导体制造工艺,具有低导通电阻、高开关速度和优异的热性能等优点。
  该型号属于沟道增强型MOSFET系列,适用于要求高效率和高可靠性的应用场合。

参数

类型:N-Channel MOSFET
  漏源极电压(Vds):120V
  连续漏极电流(Id):10A
  导通电阻(Rds(on)):33mΩ
  栅极电荷(Qg):45nC
  输入电容(Ciss):1250pF
  工作温度范围:-55℃ 至 +175℃
  封装形式:TO-263

特性

GA1210Y333KBAAR31G 具有以下显著特性:
  1. 极低的导通电阻,能够有效降低功率损耗,提升整体效率。
  2. 高速开关能力,适合高频应用环境。
  3. 良好的热稳定性,即使在高温条件下也能保持稳定的性能。
  4. 高可靠性设计,经过严格的测试验证,确保在严苛的工作环境下依然表现出色。
  5. 小型化封装,便于系统集成,节省PCB空间。
  6. 支持大电流输出,适用于需要高负载能力的应用场景。

应用

这款功率MOSFET广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)中的主开关管或同步整流管。
  2. 电动工具、家用电器中的电机驱动电路。
  3. 工业自动化设备中的负载开关。
  4. 汽车电子系统的电源管理和控制电路。
  5. 各类DC-DC转换器模块。
  6. 电池保护电路及快速充电解决方案。

替代型号

IRFZ44N
  STP10NK60Z
  FDP5800

GA1210Y333KBAAR31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容0.033 μF
  • 容差±10%
  • 电压 - 额定50V
  • 温度系数X7R
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1210(3225 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.098" 宽(3.20mm x 2.50mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.076"(1.94mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-