时间：2025/9/1 17:58:54
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H5MS51620FRJ3M 是SK Hynix公司生产的一款高容量、高性能的DRAM芯片。该芯片属于移动DRAM系列，主要面向需要高性能和低功耗的移动设备和嵌入式系统应用。H5MS51620FRJ3M采用了先进的制造工艺，确保了在高速运行下的稳定性和可靠性。
类型：DRAM
容量：256MB
封装：FBGA
数据宽度：16位
电压：1.8V / 2.5V
频率：166MHz
接口：Mobile SDRAM
温度范围：工业级（-40°C 至 +85°C）
H5MS51620FRJ3M 是一款高性能的移动SDRAM芯片，具备低功耗、高数据传输速率的特点，非常适合用于需要长时间运行和高稳定性的设备。该芯片采用了先进的CMOS技术，能够在低电压下保持高效运行，同时具备较高的抗干扰能力。
此外，H5MS51620FRJ3M 的封装设计紧凑，适合空间受限的嵌入式设备和便携式电子产品使用。其工作温度范围宽，能够在严苛的环境中稳定运行，因此也适用于工业控制、车载系统等对环境要求较高的场景。
该芯片支持自动刷新和自刷新模式，有助于降低系统功耗并提高数据保存的可靠性。同时，它还支持突发访问模式，可以有效提高数据读写效率。
H5MS51620FRJ3M 主要应用于智能手机、平板电脑、便携式游戏设备、嵌入式系统以及车载电子设备等需要高性能和低功耗存储解决方案的场合。
H5MS51620FRJ3C
