时间：2025/8/9 8:17:36
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FMD03N60G 是一款由Fastron（飞虹）半导体公司制造的N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件适用于高频率、高效率的功率转换应用，如开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电机驱动器和电池充电器等。其600V的漏源极击穿电压（Vds）和3A的连续漏极电流能力，使其在中等功率等级的电路中具有良好的性能表现。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：600V
栅源电压（Vgs）：±30V
连续漏极电流（Id）：3A（在Tc=25℃时）
脉冲漏极电流（Idm）：12A
功耗（Pd）：50W
工作温度范围：-55℃ ~ +150℃
存储温度范围：-55℃ ~ +150℃
封装形式：TO-220
导通电阻（Rds(on)）：约2.5Ω（最大值，Vgs=10V）
FMD03N60G 采用了先进的高压MOSFET制造工艺，具备良好的热稳定性和高频响应能力。其主要特性包括低导通电阻、快速开关速度、高耐压能力以及出色的雪崩能量承受能力。这些特性使得该MOSFET在高效率和高可靠性的电源系统中表现出色。此外，FMD03N60G 还具备良好的抗过载和短路能力，能够在极端工作条件下保持稳定运行。其TO-220封装形式有助于良好的散热性能，适用于各种工业级应用环境。
FMD03N60G 主要用于需要中等功率水平的开关电源、DC-DC转换器、LED照明驱动器、电机控制电路以及电池管理系统等应用。由于其高耐压和良好的导通特性，也适合用于逆变器、UPS系统以及光伏（太阳能）逆变器等新能源相关设备中。
FQA3N60C、K2645、FDPF3N60、2SK2645、FMB03N60E、FMD03N60K
