容量：512MB
　　组织结构：x16
　　封装类型：FBGA
　　电压：1.1V / 1.8V
　　接口：LPDDR4
　　时钟频率：最高支持800MHz
　　数据速率：1600Mbps
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C

H5MS51220FRJ3M 的最大特点是其高速数据传输能力，数据速率可达1600Mbps，这使得它非常适合用于需要快速数据处理的设备。其低电压设计（1.1V核心电压和1.8V I/O电压）有助于降低功耗，延长设备电池寿命。芯片采用FBGA封装技术，体积小、散热好，适合高密度PCB布局。
　　该DRAM芯片还支持多种低功耗模式，如预充电电源下降模式（Precharge Power-down Mode）和自刷新模式（Self-Refresh Mode），有助于进一步优化功耗。此外，H5MS51220FRJ3M具备良好的温度适应能力，可在-40°C至+85°C的宽温范围内稳定运行，适用于各种严苛环境下的应用。
　　在数据完整性方面，该芯片支持CRC（循环冗余校验）和CA训练（命令/地址训练）功能，确保在高速操作下数据传输的稳定性与可靠性。这些特性使其成为高端移动设备和嵌入式系统的理想选择。

H5MS51220FRJ3M 主要应用于需要高性能和低功耗存储解决方案的设备，包括智能手机、平板电脑、可穿戴设备以及各种嵌入式系统。由于其高速度和低功耗的特性，它也非常适合用于图形处理、多任务处理和高清视频播放等高性能需求的应用场景。此外，该芯片还可用于工业控制、车载电子系统和物联网（IoT）设备，提供稳定可靠的内存支持。

H5MS51220FRJ3C, H5MS51220FRJ3M9, H5MS51220FRJ3C9