CXG1010N-T4 时间：2025/8/18 18:53:17 阅读：5

CXG1010N-T4是一款高性能、低功耗的N沟道功率MOSFET，适用于各种需要高效能开关的电源管理和功率转换应用。该器件采用了先进的沟槽式MOSFET技术，提供优异的导通电阻和开关性能，适用于工业自动化、电源模块、DC-DC转换器和电机控制等场景。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压(VDS)：100V
　　连续漏极电流(ID)：18A
　　栅极阈值电压(VGS(th))：2.0V至4.0V
　　导通电阻(RDS(on))：0.015Ω（典型值）
　　封装形式：TO-252（DPAK）
　　工作温度范围：-55°C至+175°C

特性

CXG1010N-T4采用了先进的沟槽式MOSFET技术，显著降低了导通电阻，从而减少了导通损耗，提高了能效。此外，该器件的开关性能优异，能够在高频条件下稳定工作，适合用于高频率开关电源和DC-DC转换器。该MOSFET具有较高的热稳定性和可靠性，能够在高温环境下长期运行，确保系统稳定性。其低栅极电荷设计也使得驱动电路的功耗降低，提高了整体系统的效率。CXG1010N-T4还具备良好的短路耐受能力和过载保护特性，适用于对可靠性要求较高的工业和汽车电子应用。

应用

CXG1010N-T4广泛应用于各种功率电子系统中，包括工业电源、DC-DC转换器、电机驱动器、电池管理系统、LED驱动电源以及各类高效率开关电源。此外，该器件也可用于汽车电子系统中的功率管理模块，例如车载充电器、启动电机控制和车载逆变器等应用。其优异的热性能和可靠性使其成为高要求环境下的理想选择。