类型：N 沟道 MOSFET
　　漏极电流（ID）：5A
　　漏极-源极击穿电压（VDS）：500V
　　栅极-源极电压（VGS）：±30V
　　导通电阻（RDS(on)）：约 1.8Ω @ VGS = 10V
　　功率耗散（PD）：50W
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：TO-252（DPAK）

FQU5N50CTU_WS 作为一款中功率 MOSFET，具有以下显著特性：
　　首先，其漏极-源极击穿电压达到 500V，能够在高压环境下稳定工作，适用于多种电源转换系统。漏极电流为 5A，在适当的散热条件下可满足中等功率应用的需求。
　　其次，该器件的导通电阻约为 1.8Ω，在 VGS = 10V 时具备较低的导通损耗，有助于提高系统的整体效率。此外，TO-252（DPAK）封装形式具有良好的热管理能力，能够有效散热，提升器件的可靠性。
　　再者，其栅极驱动电压范围较宽（±30V），使得该器件兼容多种驱动电路设计，增强了应用的灵活性。同时，该器件具备较高的耐用性和抗干扰能力，适用于工业级工作环境。
　　最后，该 MOSFET 具有较快的开关速度，适合用于高频开关电路中，有助于减小外部元件的尺寸并提升电源系统的效率。

FQU5N50CTU_WS 广泛应用于多种电力电子系统中。其主要应用场景包括：
　　1. **电源管理**：用于 AC-DC 或 DC-DC 转换器中作为主开关器件，提升转换效率并减小电源体积。
　　2. **电机控制**：在电机驱动电路中作为功率开关，实现对电机的启停与速度调节。
　　3. **负载开关**：用于控制高电压负载的接通与断开，如继电器、灯泡或加热元件等。
　　4. **电池管理系统**：在电池充放电保护电路中作为控制开关，确保电池的安全运行。
　　5. **工业控制设备**：用于工业自动化系统中的电源控制模块，如PLC、伺服驱动器等。
　　6. **消费类电子产品**：如智能家电、LED 驱动电源等需要高效率功率开关的场合。

FQA5N50C, FQP5N50, FQU13N06L, FDPF5N50