制造商：SK Hynix
　　类型：DRAM
　　容量：256MB
　　组织结构：x16
　　封装类型：FBGA
　　电压：1.8V / 2.5V
　　工作温度范围：0°C 至 +70°C
　　接口标准：LVTTL
　　最大访问时间：5.4ns
　　最大频率：166MHz

H5MS2G62AFR-K3M 是一款高性能的DRAM芯片，具备出色的存取速度和稳定性。其高速访问时间（最大为5.4ns）确保了数据的快速读写，适用于需要高效处理能力的系统。芯片采用低功耗设计，工作电压为1.8V / 2.5V，有助于降低整体系统的能耗，延长设备的使用寿命。
　　该芯片的封装形式为FBGA（细间距球栅阵列封装），这种封装方式提供了更高的引脚密度和更短的信号路径，减少了信号干扰，提高了高频工作的稳定性。此外，FBGA封装也有助于提高芯片在高密度PCB设计中的布局灵活性。
　　H5MS2G62AFR-K3M 的工作温度范围为0°C 至 +70°C，适用于大多数工业和商业应用场景。其LVTTL接口标准确保了与多种控制器和外围设备的兼容性，降低了系统集成的复杂性。这款DRAM芯片还支持自动刷新和自刷新模式，能够在不丢失数据的情况下进入低功耗状态，进一步提升能效。
　　总体而言，H5MS2G62AFR-K3M 是一款适用于各种高性能计算设备和嵌入式系统的可靠内存解决方案，具备高速、低功耗、稳定性和良好的兼容性等优点。

H5MS2G62AFR-K3M 主要应用于需要高性能内存支持的设备和系统中。常见应用包括服务器、网络设备（如路由器和交换机）、工业控制设备、嵌入式系统、多媒体设备（如高清电视和媒体播放器）以及高端消费电子产品。其高速存取能力和低功耗设计使其特别适合于对能效和性能要求较高的场景。

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