类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压(Vds)：30V
　　最大漏极电流(Id)：100A（在Tc=25°C）
　　导通电阻(Rds(on))：最大5.5mΩ（在Vgs=10V）
　　栅极电荷(Qg)：85nC（典型值）
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装：PowerFLAT 5x6
　　功率耗散(Pd)：120W

P3500EBLAP 的核心特性包括其极低的导通电阻（Rds(on)），这显著降低了导通损耗，提高了系统的整体效率。此外，该MOSFET采用先进的封装技术，使得其在高电流工作条件下仍能保持良好的散热性能，从而提高了器件的可靠性和寿命。该器件还具备高雪崩能量承受能力，能够在极端工作条件下提供更高的安全性和稳定性。其栅极驱动特性优化，能够与常见的PWM控制器兼容，适用于高频开关应用。此外，P3500EBLAP 的封装设计减少了寄生电感，提高了开关性能，降低了EMI（电磁干扰）的影响。
　　另一个显著的特点是其在高温下的稳定性，能够在高达150°C的结温下正常工作，适用于对散热要求苛刻的工业和汽车应用。由于其优异的热管理能力，P3500EBLAP 可以减少外部散热片的使用或缩小散热片尺寸，从而实现更紧凑的设计。

P3500EBLAP 主要应用于需要高效率和大电流能力的电源系统中，例如服务器电源、电信设备电源、DC-DC转换器、电机驱动器、电池管理系统（BMS）、电动车充电系统、UPS（不间断电源）、工业自动化控制以及高功率LED照明驱动等。此外，该MOSFET也适用于负载开关、热插拔电源控制、功率分配系统等需要高可靠性的应用场景。由于其优异的热性能和高电流能力，P3500EBLAP 也常用于汽车电子系统中，如车载充电器、电动助力转向系统（EPS）和起停系统等。
　　在设计中，该器件通常与合适的栅极驱动器配合使用，以确保快速开关和最小的开关损耗。由于其低Rds(on)和高耐流能力，P3500EBLAP 非常适合用于同步整流拓扑、多相电源设计以及并联使用以实现更高的电流承载能力。

STL350N3LLFDAG、P3600EALAG、IPB015N04N3 G、IRF1324S-7PPBF