容量：2Gb
　　组织结构：x16
　　工作电压：1.7V - 3.6V
　　封装类型：FBGA
　　引脚数：54
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　接口类型：异步
　　最大访问时间：5.4ns
　　刷新周期：64ms
　　封装尺寸：5.5mm x 4.5mm

H5MS2G22MFR-E3M 的主要特性之一是其低功耗设计，适用于电池供电设备。该DRAM芯片支持多种低功耗模式，包括自动刷新和待机模式，从而有效延长设备的电池寿命。此外，它的工作电压范围较宽（1.7V至3.6V），使其能够适应多种电源管理方案。
　　该芯片的异步接口设计简化了与主控芯片的连接，降低了系统设计复杂度。封装尺寸小巧（5.5mm x 4.5mm），非常适合空间受限的便携设备。H5MS2G22MFR-E3M 的工作温度范围为-40°C至+85°C，确保其在各种环境条件下都能稳定运行。
　　这款DRAM芯片具备64ms的自动刷新周期，能够在不频繁访问的情况下维持数据完整性，减少系统功耗。同时，其最大访问时间为5.4ns，提供较快的数据读写速度，适合中高端移动设备和嵌入式系统的需求。

H5MS2G22MFR-E3M 主要应用于移动设备和嵌入式系统，如智能手机、平板电脑、穿戴设备和便携式电子设备。其低功耗特性和小巧封装使其非常适合用于需要长时间运行且对能耗敏感的产品。此外，该芯片也可用于工业控制设备、医疗设备和汽车电子系统中，作为临时数据存储单元，支持主控芯片进行高效的数据处理和运算。
　　在物联网（IoT）设备中，H5MS2G22MFR-E3M 可作为缓存或临时存储器，支持设备进行实时数据采集和处理。由于其宽工作温度范围，该芯片也可用于户外设备和恶劣环境下的嵌入式系统。

H5MS2G22MFR-E3MA、H5MS2G22MFR-R6M、H5MS2G22FFR-E3M