SI4936ADY-T1-GE3 是一款由 Vishay 公司生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用 TrenchFET 第三代技术制造,具有极低的导通电阻和出色的开关性能,适用于需要高效率和高频工作的应用场合。其封装形式为 DSOP-8,并具备高达 60V 的额定漏源电压。这种 MOSFET 常用于 DC-DC 转换器、负载开关、电机控制以及其他功率管理电路中。
型号:SI4936ADY-T1-GE3
制造商:Vishay
系列:Si4936
类型:N 沟道增强型 MOSFET
封装:DSOP-8
漏源电压 (Vds):60V
栅极源极电压 (Vgs):±20V
连续漏极电流 (Id):35A
导通电阻 (Rds(on)):3.7mΩ(典型值,当 Vgs=10V 时)
总功耗:4.5W
工作温度范围:-55°C 至 +175°C
SI4936ADY-T1-GE3 使用了先进的 TrenchFET 第三代工艺,使其具有以下显著特性:
1. 极低的导通电阻(Rds(on)),有助于减少功率损耗并提高系统效率。
2. 快速开关速度,支持高频工作,非常适合于现代高效电源设计。
3. 高电流承载能力(最大 35A 连续漏极电流),可满足大功率应用需求。
4. 小巧的 DSOP-8 封装尺寸,便于 PCB 布局设计。
5. 宽广的工作温度范围(-55°C 至 +175°C),适合在极端环境下使用。
6. 内置反向二极管功能,简化了同步整流电路设计。
7. 符合 RoHS 标准,环保无铅材料制造。
这款功率 MOSFET 广泛应用于以下领域:
1. 各种类型的 DC-DC 转换器,如降压、升压或升降压转换器。
2. 开关电源中的同步整流器。
3. 负载开关和 ORing 保护电路。
4. 电机驱动与控制,例如无刷直流电机(BLDC)。
5. 电池管理系统(BMS),用作充放电路径上的开关。
6. LED 照明驱动器中的电流调节。
7. 数据通信设备中的功率管理模块。
8. 工业自动化设备中的开关元件。
SI4937DY, SI4938DY, SI4886DY