时间：2025/5/29 10:45:15
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SI4936ADY-T1-GE3 是一款由 Vishay 公司生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用 TrenchFET 第三代技术制造，具有极低的导通电阻和出色的开关性能，适用于需要高效率和高频工作的应用场合。其封装形式为 DSOP-8，并具备高达 60V 的额定漏源电压。这种 MOSFET 常用于 DC-DC 转换器、负载开关、电机控制以及其他功率管理电路中。
型号：SI4936ADY-T1-GE3
制造商：Vishay
系列：Si4936
类型：N 沟道增强型 MOSFET
封装：DSOP-8
漏源电压 (Vds)：60V
栅极源极电压 (Vgs)：±20V
连续漏极电流 (Id)：35A
导通电阻 (Rds(on))：3.7mΩ（典型值，当 Vgs=10V 时）
总功耗：4.5W
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
SI4936ADY-T1-GE3 使用了先进的 TrenchFET 第三代工艺，使其具有以下显著特性：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），有助于减少功率损耗并提高系统效率。
2. 快速开关速度，支持高频工作，非常适合于现代高效电源设计。
3. 高电流承载能力（最大 35A 连续漏极电流），可满足大功率应用需求。
4. 小巧的 DSOP-8 封装尺寸，便于 PCB 布局设计。
5. 宽广的工作温度范围（-55°C 至 +175°C），适合在极端环境下使用。
6. 内置反向二极管功能，简化了同步整流电路设计。
7. 符合 RoHS 标准，环保无铅材料制造。
这款功率 MOSFET 广泛应用于以下领域：
1. 各种类型的 DC-DC 转换器，如降压、升压或升降压转换器。
2. 开关电源中的同步整流器。
3. 负载开关和 ORing 保护电路。
4. 电机驱动与控制，例如无刷直流电机（BLDC）。
5. 电池管理系统（BMS），用作充放电路径上的开关。
6. LED 照明驱动器中的电流调节。
7. 数据通信设备中的功率管理模块。
8. 工业自动化设备中的开关元件。
SI4937DY, SI4938DY, SI4886DY
