容量：256MB
　　组织结构：2M x 16
　　电压：1.7V - 3.3V
　　封装类型：FBGA
　　引脚数：54
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　接口类型：并行
　　最大访问时间：5.4ns
　　刷新周期：64ms

H5MS2G22BFR-Q3M 作为一款移动式DRAM芯片，具有多项显著的技术特性。首先，它支持低电压运行，能够在1.7V至3.3V的电压范围内正常工作，这使得该芯片非常适合用于电池供电设备，有助于延长设备的续航时间。
　　其次，H5MS2G22BFR-Q3M采用了FBGA封装技术，使得芯片在保持高性能的同时，体积更小，更适合在空间受限的设备中使用。此外，FBGA封装还提供了良好的热管理和电气性能，有助于提高芯片的稳定性和可靠性。
　　该芯片的工作温度范围较宽，能够在-40°C至+85°C的环境下正常运行，满足工业级温度要求，适用于各种恶劣工作环境。同时，H5MS2G22BFR-Q3M的刷新周期为64ms，符合标准DRAM的刷新要求，确保了数据的完整性。
　　在性能方面，H5MS2G22BFR-Q3M的最大访问时间仅为5.4ns，能够提供较高的数据传输速率，适用于需要快速响应的应用场景。其并行接口设计也便于与主控芯片进行高效的数据交换。

H5MS2G22BFR-Q3M 广泛应用于需要低功耗、小尺寸和高性能存储的设备中。典型的应用包括智能手机、平板电脑、便携式游戏机、GPS导航设备、数码相机以及其他嵌入式系统。此外，该芯片也可用于工业控制设备、车载电子系统以及医疗电子设备中，满足这些设备对可靠性和稳定性要求较高的应用场景。

H5MS2G22BFR-Q3C
　　H5MS2G22BFR-Q2B
　　IS61WV25616BLL-5.4T