KP8N60DM-RTF/H 时间：2025/9/11 19:32:18 阅读：6

KP8N60DM-RTF/H 是一款由KEXIN（科信）公司生产的N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），适用于高电压、高频率的开关电源应用。该器件采用先进的平面工艺技术，具有良好的导通特性和较低的开关损耗，能够广泛应用于各种电子电力设备中。

参数

类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压（Vds）：600V
　　栅源电压（Vgs）：±30V
　　漏极电流（Id）：8A
　　工作温度范围：-55℃～150℃
　　导通电阻（Rds(on)）：典型值0.55Ω（在Vgs=10V时）
　　封装形式：TO-252（DPAK）
　　功率耗散（Pd）：75W

特性

KP8N60DM-RTF/H MOSFET具有优异的导通和开关性能，能够在高电压环境下提供稳定的运行。其低导通电阻（Rds(on)）特性显著降低了导通损耗，提高了系统的能效。此外，该器件具有较强的热稳定性和过载能力，能够在较高的工作温度下可靠运行。其TO-252封装形式提供了良好的散热性能，适用于紧凑型设计的电源应用。KP8N60DM-RTF/H还具备快速的开关速度，适用于高频开关电路，从而减少外部元件的体积，提高整体效率。该MOSFET具有较高的抗静电能力和良好的可靠性，适合在工业级环境中使用。
　　这款器件的栅极驱动要求较低，通常只需要10V左右的栅极电压即可实现完全导通，使其适用于多种栅极驱动IC的控制。同时，KP8N60DM-RTF/H具备良好的雪崩击穿耐受能力，能够在突发的电压冲击下保持稳定，避免损坏。这种特性使其在开关电源、适配器、LED驱动电源以及DC-DC转换器中表现出色。此外，其低漏电流和高耐压特性也使其在待机模式下具有较低的功耗，符合现代电子产品对节能环保的需求。

应用

KP8N60DM-RTF/H MOSFET主要用于各种开关电源系统，包括AC-DC电源适配器、LED驱动电源、电池充电器、DC-DC转换器以及电机驱动电路。此外，该器件还可用于工业自动化设备、智能家电、通信设备以及电动车电源管理系统中。由于其高耐压和高效率的特性，KP8N60DM-RTF/H特别适合用于需要高效能和高可靠性的中高功率应用场合。