型号：TGBR30V45
　　器件类型：肖特基势垒二极管
　　最大重复反向电压（VRRM）：45V
　　最大直流反向电压（VR）：45V
　　平均整流电流（IF(AV)）：30A
　　峰值浪涌电流（IFSM）：150A（单个半波）
　　正向压降（VF）：典型值0.52V，最大值0.58V（在IF=30A, TC=25°C条件下）
　　反向漏电流（IR）：最大1.0mA（在VR=45V, TJ=25°C）；高温下最大10mA（TJ=125°C）
　　工作结温范围（TJ）：-65°C 至 +175°C
　　存储温度范围（TSTG）：-65°C 至 +175°C
　　热阻（RθJC）：约1.5°C/W
　　封装形式：TO-247AC
　　引脚数：2（K型）

TGBR30V45的核心优势在于其采用了先进的肖特基势垒结构，这种结构通过金属与N型半导体之间的势垒形成整流效应，避免了PN结中少数载流子的存储效应，从而实现了极快的开关速度和几乎无反向恢复时间的特性。这使得该器件在高频开关电路中表现尤为优异，能够有效减少开关过程中的能量损耗，提升电源系统的转换效率。其正向导通压降非常低，在30A的大电流工作条件下仍能保持在0.58V以下，这意味着即使在高负载情况下，器件本身的功耗也相对较低，有助于降低温升并提高系统可靠性。
　　该器件具备出色的热稳定性，可在高达175°C的结温下持续工作，适合在恶劣环境或密闭空间内使用。其TO-247AC封装不仅提供了良好的机械强度，还具备优异的热传导能力，确保热量能够迅速从芯片传递到外部散热系统，防止局部过热导致性能下降或失效。此外，TGBR30V45具有较强的抗浪涌能力，可承受高达150A的峰值浪涌电流，增强了其在电网波动或启动冲击等瞬态工况下的鲁棒性。
　　在可靠性方面，TGBR30V45经过严格的生产测试和质量控制流程，确保每批次产品的一致性和长期稳定性。其反向漏电流在高温下虽有所增加，但在正常应用范围内仍处于可控水平，不会显著影响系统性能。器件还具备良好的抗湿性和耐腐蚀性，适合在工业级环境中长期运行。由于其无铅环保设计，符合现代电子产品对绿色制造的要求，适用于出口型或高端工业设备。

TGBR30V45广泛应用于各类高效率电力电子系统中。在开关电源领域，它常被用作输出整流二极管，尤其是在低压大电流输出的DC-DC变换器中，如服务器电源、通信基站电源等，凭借其低导通压降和快速响应能力，显著提升了电源效率并降低了发热。在太阳能光伏发电系统中，该器件可用于防反二极管或旁路二极管，防止电池板在阴影遮挡时产生反向电流，保护组件安全。
　　在不间断电源（UPS）和逆变器系统中，TGBR30V45用于续流和整流环节，能够在高频切换过程中保持稳定性能，减少能量损耗，延长电池续航时间。此外，它也适用于电动汽车充电模块、电动工具电源、LED驱动电源等需要高效能量转换的场景。由于其高电流承载能力和优良的热管理特性，该器件特别适合集成在紧凑型电源模块中，满足现代电子设备对小型化和高功率密度的需求。
　　在工业自动化控制系统中，TGBR30V45可用于电机驱动电路中的自由轮续流二极管，抑制电感负载断开时产生的反向电动势，保护开关器件（如MOSFET或IGBT）。其高可靠性和宽温度适应范围使其成为工业级电源设计中的优选方案。同时，该器件也可用于焊接设备、医疗电源、轨道交通辅助电源等对安全性要求极高的领域，提供稳定的电力保障。

SBT3045PV3
　　MUR3045CT
　　MBR3045CT