容量：2GB
　　类型：DRAM
　　技术：DDR3 SDRAM
　　组织结构：x16
　　封装类型：FBGA
　　电压：1.5V
　　数据传输速率：800MHz
　　时钟频率：400MHz
　　工作温度范围：0°C至+85°C
　　引脚数：96-pin
　　数据宽度：16位

H5MS2G22AFR-EBM DRAM芯片具备多项优异的性能特点，能够满足高性能计算和存储应用的需求。首先，它采用DDR3 SDRAM技术，相比前一代DDR2内存，具有更高的数据传输速率和更低的功耗，适用于对能效要求较高的系统。该芯片的运行频率为800MHz，能够提供高效的数据存取能力，提升系统的整体性能。
　　其次，该芯片采用96-pin FBGA封装形式，具有良好的散热性能和电气稳定性，适用于空间受限的高密度主板设计。封装结构的优化设计也提高了芯片的可靠性和耐用性，使其适用于工业级和商业级应用环境。
　　此外，H5MS2G22AFR-EBM的工作电压为1.5V，符合低电压发展趋势，有助于降低系统功耗并提升能效。其工作温度范围为0°C至+85°C，具备良好的热稳定性和适应性，能够在各种复杂环境下稳定运行。数据宽度为16位，支持x16的数据组织结构，提高了内存带宽和数据处理效率，满足高性能应用的需求。

H5MS2G22AFR-EBM DRAM芯片广泛应用于多种高性能电子设备和系统中。它适用于个人电脑和服务器内存模块，用于提升系统的运行速度和多任务处理能力。此外，该芯片也常用于网络设备，如路由器和交换机，以支持高速数据交换和处理。在嵌入式系统中，该芯片可用于工业控制、医疗设备和通信设备，确保系统在高负载下的稳定运行。其低功耗特性和高可靠性也使其适用于消费类电子产品，例如智能电视、游戏机和存储扩展设备。

H5T2GQ22AMR-EBM, H5MS2G22EFR-EBM