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IRFH5304TRPBF 发布时间 时间:2025/5/8 15:57:01 查看 阅读:2

IRFH5304TRPBF 是一款由 Infineon(英飞凌)生产的 N 沒尔场效应晶体管(N-MOSFET)。该器件采用 P-Channel 技术,适用于中低功率应用场合。它具有较低的导通电阻和较高的开关速度,非常适合于电源管理、DC-DC 转换器、电机驱动以及负载开关等应用。
  IRFH5304TRPBF 的封装形式为 TO-263-3(D2PAK),这使得其具备良好的散热性能和易于 PCB 布局设计。

参数

最大漏源电压:50V
  连续漏极电流:39A
  导通电阻:7.5mΩ
  栅极电荷:18nC
  工作温度范围:-55℃ 至 175℃
  总功耗:180W

特性

IRFH5304TRPBF 提供了非常低的导通电阻,从而减少了传导损耗并提高了系统效率。此外,该器件的高雪崩能量能力使其能够在恶劣的工作条件下保持可靠运行。
  由于采用了先进的制造工艺,这款 MOSFET 具有更快的开关速度和更小的开关损耗,非常适合高频应用环境。
  在热管理和机械稳定性方面,TO-263-3 封装提供了卓越的表现,允许更高的电流密度和更好的散热性能。

应用

该器件广泛应用于消费类电子产品、工业设备以及汽车领域中的各种电路设计。
  典型应用包括但不限于:开关模式电源(SMPS)、直流-直流转换器、电机控制电路、电池保护电路以及负载切换等场景。
  在汽车电子领域,IRFH5304TRPBF 可用于启动马达驱动、发电机调节以及其他需要高效功率转换的应用中。

替代型号

IRF540N
  STP55NF06L
  FDP5570
  IXFN50N06T2

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IRFH5304TRPBF参数

  • 标准包装4,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列HEXFET®
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C22A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C4.5 毫欧 @ 47A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)2.35V @ 50µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs41nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds2360pF @ 10V
  • 功率 - 最大3.6W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-VQFN
  • 供应商设备封装PQFN(5x6)单芯片焊盘
  • 包装带卷 (TR)