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H5MS1G62AFRJ3M 发布时间 时间:2025/6/6 19:51:44 查看 阅读:3

H5MS1G62AFRJ3M 是由海力士(SK Hynix)生产的一款DDR4 SDRAM内存颗粒芯片。该芯片广泛应用于台式电脑、笔记本电脑、服务器以及其他需要高性能内存的电子设备中,具备高带宽、低功耗的特点,能够显著提升系统的整体性能。
  该芯片采用了先进的制程工艺,支持更高的数据传输速率和更低的工作电压,从而为现代计算设备提供了可靠的内存解决方案。

参数

容量:8Gb (1GB)
  类型:DDR4 SDRAM
  封装:BGA 78-ball
  工作电压:1.2V
  数据速率:2400Mbps
  I/O宽度:x8/x16
  温度范围:-40°C ~ +85°C
  引脚间距:1mm
  工作温度:Commercial (0°C to 70°C), Industrial (-40°C to 85°C)

特性

H5MS1G62AFRJ3M 芯片具有以下主要特性:
  1. 高速数据传输:支持高达2400 Mbps的数据传输速率,满足现代计算对内存带宽的需求。
  2. 低功耗设计:采用1.2V工作电压,相比前一代DDR3内存进一步降低了功耗。
  3. 可靠性高:通过严格的测试流程,确保在各种环境下的稳定运行。
  4. 多种应用支持:适用于台式机、笔记本、工作站及服务器等多种场景。
  5. 先进的制造工艺:使用更小的制程技术,提高集成度的同时降低发热。
  6. 引脚兼容性好:与主流主板和内存条设计良好匹配,便于装配和升级。

应用

H5MS1G62AFRJ3M 主要应用于以下领域:
  1. 台式计算机:为主流PC提供高速内存支持。
  2. 笔记本电脑:助力轻薄便携设备实现高效运算能力。
  3. 服务器和数据中心:支持多任务处理和大数据分析等高性能需求。
  4. 嵌入式系统:如工业控制、网络通信设备等,需要可靠且高效的内存解决方案。
  5. 游戏设备:为游戏主机或高端显卡提供流畅的游戏体验。
  此外,该芯片也常用于其他需要大容量、高速度内存的电子设备中。

替代型号

H5AN8G6NCMR-TFC, MT47H64M16FR-2G, K4A8G085WB-BGC0

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