时间：2025/9/1 13:04:57
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H5MS1G22MFP-K3 是由Hynix（现为SK hynix）生产的一款DRAM（动态随机存取存储器）芯片。这款芯片属于移动设备用DRAM类别，采用FBGA封装，适用于低功耗、高性能要求的便携式电子产品，如智能手机和平板电脑。该型号的容量为1Gb（Gigabit），支持LPDDR2 SDRAM接口标准，具备高效能数据传输能力。
容量：1Gb
类型：DRAM
接口标准：LPDDR2 SDRAM
封装类型：FBGA
工作温度：-40°C ~ +85°C
电压：1.2V~1.5V
数据速率：可达400MHz
组织结构：x16
H5MS1G22MFP-K3 具备低功耗特性，适用于移动设备中的内存扩展需求。其采用的LPDDR2接口标准，相较于前一代LPDDR1，提供了更高的数据传输速率和更低的功耗，从而提升了设备的整体性能和电池续航能力。
此外，该芯片的封装设计（FBGA）有助于减小PCB板的占用空间，并提供良好的电气性能和热稳定性，适用于高密度、高性能的便携式电子产品设计。
这款DRAM芯片还具备良好的温度适应能力，可在-40°C至+85°C的宽温度范围内稳定工作，适合各种复杂环境下的应用。其电压范围为1.2V至1.5V，具备一定的电压调节灵活性，以适应不同系统的电源管理需求。
H5MS1G22MFP-K3 主要应用于移动设备，如智能手机、平板电脑和其他便携式电子设备，用于提供高性能、低功耗的内存解决方案。此外，该芯片也可用于嵌入式系统、消费类电子产品和工业控制设备中，以满足对内存容量和性能的需求。
H5MS1G22EFR-K3C, H5MS1G22MFP-C4, H5MS1G22MFR-K3
