晶体类型：NPN型
　　最大集电极-发射极电压（VCEO）：30V
　　最大集电极电流（IC）：100mA
　　最大功耗（PD）：200mW
　　最大工作温度：150°C
　　封装形式：SOT-23
　　电流放大系数（hFE）：在2mA时为110至800（取决于等级）
　　过渡频率（fT）：100MHz
　　饱和压降（VCE(sat)）：最大为0.2V（典型值0.1V）
　　反向漏电流（ICBO）：最大100nA

BAS70_04T 的主要特性之一是其宽范围的电流放大系数（hFE），根据不同的等级，hFE 可以在110到800之间变化。这种灵活性使得该晶体管能够适应多种放大电路需求，从低增益开关电路到高增益信号放大器都能适用。
　　该晶体管具有较高的过渡频率（fT）达到100MHz，使其在中高频应用中表现良好，适合用于射频（RF）和高速开关电路。
　　此外，BAS70_04T 在饱和状态下的压降非常低，通常只有0.1V，最大不超过0.2V。这使得晶体管在开关应用中能够减少功耗并提高整体效率。
　　该器件在高温环境下仍能保持稳定性能，最大工作温度可达150°C，这使其适用于各种恶劣环境下的工业应用。
　　由于采用SOT-23封装，BAS70_04T 具有较小的体积，便于在高密度PCB布局中使用，并且易于进行自动化装配。

BAS70_04T 主要用于通用放大和开关电路中，常见于消费类电子产品如手机、音频设备和电源管理模块中。它在低功率放大电路中作为前置放大器或驱动器，能够提供良好的增益和线性度。
　　在工业控制领域，该晶体管常用于传感器信号放大、继电器驱动和电源开关控制。其低饱和压降特性也使其适用于DC-DC转换器和负载开关应用。
　　通信设备中，BAS70_04T 可用于中低频信号的放大，例如在无线模块、调制解调器和接口电路中。此外，由于其高稳定性和可靠性，该晶体管还广泛用于测试设备和测量仪器中。

BC847系列, 2N3904, PN2222A