容量：256Mb
　　组织结构：x16
　　电压：2.3V - 3.6V
　　访问时间：14ns
　　封装类型：TSOP
　　引脚数：54
　　工作温度范围：-40°C至+85°C
　　接口类型：异步
　　最大时钟频率：无
　　数据宽度：16位
　　

W641GG21B-14 是一款高性能的异步DRAM芯片，具备14ns的访问时间，适合需要快速数据存取的应用。该芯片采用TSOP封装，提供54个引脚，适合高密度PCB布局。
　　其工作电压范围为2.3V至3.6V，具有较宽的电源适应性，适用于多种供电环境。此外，该芯片支持-40°C至+85°C的工业级工作温度范围，可在恶劣环境下稳定运行，适合工业控制、嵌入式系统和通信设备等应用场景。
　　作为异步DRAM，W641GG21B-14 不依赖于时钟信号进行数据访问，而是通过地址和控制信号直接进行读写操作，这使得它在某些特定的低延迟应用中具有优势。虽然其性能不如现代同步DRAM（如SDRAM或DDR SDRAM），但在一些对成本和功耗有较高要求的场合，它仍然具有广泛的应用价值。
　　该芯片的数据宽度为16位（x16），能够提供较高的数据吞吐能力，适合需要大量数据处理的应用。此外，其TSOP封装形式有助于降低电磁干扰（EMI），提高系统的稳定性。

W641GG21B-14 主要用于需要中等容量高速存储的嵌入式系统、工业控制设备、通信模块、消费类电子产品（如智能家电、多媒体设备）以及网络设备等场景。由于其异步接口的特性，该芯片常用于不需要高带宽但对稳定性和兼容性有要求的传统系统或特定硬件平台。例如，在工业自动化设备中，该芯片可用于存储程序代码或临时数据缓冲；在通信模块中，可作为数据缓存或协议处理的临时存储单元；在消费类电子产品中，则可用于图形处理、音频存储或系统内存扩展等用途。此外，该芯片也适用于需要长期运行和稳定存储的监控设备或智能控制系统。

W641GG21B-14G、W641GG21BH-14、W641UG21B-14、W641UG21BH-14、IS61LV25616-12B4I