时间：2025/9/2 10:19:06
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H5GQ2H24AFR-R0C 是由SK hynix生产的一款高性能、低功耗的移动式DRAM芯片，属于LPDDR5（Low Power Double Data Rate 5）系列。这款芯片主要面向高端智能手机、平板电脑、可穿戴设备以及需要高带宽和低功耗内存解决方案的移动设备。H5GQ2H24AFR-R0C的封装形式为FBGA，具有较高的数据传输速率和出色的能效表现，适合在新一代移动处理器平台上使用。
容量：8Gb
类型：LPDDR5 SDRAM
封装：134-ball FBGA
电压：1.05V (VDD) / 1.05V (VDDQ)
数据速率：6400Mbps
I/O接口：x16
工作温度：-40°C 至 +85°C
时钟频率：3200MHz
H5GQ2H24AFR-R0C 采用先进的DRAM制造工艺，具备低功耗与高性能双重优势，满足移动设备对电池续航和运算能力的双重需求。其支持的6400Mbps数据速率可显著提升系统数据传输效率，适用于多任务处理、高分辨率图形渲染以及AI运算等场景。此外，该芯片内置多种节能机制，如深度掉电模式（DPD）、预充电功耗节省模式等，可在设备待机或低负载时有效降低功耗。
该器件采用x16 I/O架构，支持高带宽应用需求，并通过差分时钟、数据选通和参考电压等信号技术，确保在高速运行时的信号完整性与稳定性。其工作温度范围宽广，适用于各种复杂环境下的电子设备，确保在极端温度条件下的可靠运行。
为了提升数据访问效率，H5GQ2H24AFR-R0C 还支持命令总线训练（Command/Address Training）、写入校准（Write Calibration）和读取校准（Read Calibration）等功能，帮助系统优化时序设置，提高系统稳定性与兼容性。
H5GQ2H24AFR-R0C 主要用于高端智能手机、平板电脑、AR/VR设备、移动计算平台以及车载信息娱乐系统等领域。其高带宽和低功耗特性使其成为搭载先进应用处理器（如Qualcomm Snapdragon、Samsung Exynos、MediaTek Dimensity等）的理想内存选择。此外，它也可用于高性能计算（HPC）边缘设备和嵌入式AI加速模块。
H5GQ2H24AMR-R0C, H5GM2G24AJR-PM, H9HKNNNCTUMU-NEC
