时间：2025/9/2 6:45:01
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H5DU5162ETR-FAC 是由SK Hynix（海力士）生产的一款DRAM（动态随机存取存储器）芯片。该芯片属于高密度、低功耗的DRAM产品系列，广泛应用于计算机内存、服务器、嵌入式系统以及需要高速数据存储和处理的电子设备中。
制造商：SK Hynix
型号：H5DU5162ETR-FAC
类型：DRAM
容量：256MB
组织结构：x16位
电压：2.3V - 3.6V
封装类型：TSOP（薄型小外形封装）
封装尺寸：54-pin TSOP
访问时间：5.4ns
工作温度：工业级（-40°C 至 +85°C）
接口：异步DRAM接口
刷新周期：64ms
H5DU5162ETR-FAC 是一款异步DRAM芯片，具备低功耗、高稳定性和工业级工作温度范围，适合多种嵌入式和工业应用需求。其x16位数据宽度提供较高的数据吞吐能力，适用于对存储容量和速度有一定要求的场景。该芯片采用TSOP封装，具有良好的散热性能和机械稳定性，适合高密度PCB布局。
该芯片的工作电压范围为2.3V至3.6V，使其能够在不同的电源条件下稳定运行，提高了设计的灵活性。64ms的刷新周期确保数据在断电前能够被有效保持，同时降低了功耗。5.4ns的访问时间表明该芯片具备较快的响应能力，适用于需要快速读写操作的系统。
此外，H5DU5162ETR-FAC 采用工业级温度范围（-40°C 至 +85°C），可在恶劣环境下稳定运行，满足工业控制、通信设备和车载系统等应用场景的严苛要求。
H5DU5162ETR-FAC 主要应用于嵌入式系统、工业控制设备、通信模块、网络设备、测试仪器、视频监控设备、医疗电子设备以及汽车电子系统等需要高性能、低功耗和宽温工作的场合。
H5DU5162ETR-FAS, H5DU5162ETR-FCB, CY62148EVLL, IS61LV25616-10B4B
